[发明专利]一种薄膜场效应晶体管结构及制作方法

权利要求书

1.一种薄膜场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上制作栅极；

在基板上制作覆盖栅极的栅极绝缘层；

沉积有源层材料，在有源层材料上涂布第一光阻层，以光阻为掩模蚀刻有源层材料并在栅极上面形成有源层，有源层在栅极绝缘层上，去除有源层两侧表面上的第一光阻层，然后保留有源层上的第一光阻层；

沉积金属，在金属上涂布第二光阻层，显影后去除有源层的区域上的第二光阻层，以光阻为掩模蚀刻有源层的区域上的金属至第一光阻层，通过四氟化碳以及氧气处理的方式减薄残留在第一光阻层边缘的金属，在有源层的一侧形成源极，在有源层的另一侧形成漏极，源极、漏极分别与有源层的两侧连接，源极靠近漏极的侧壁和漏极靠近源极的侧壁均为倾斜的，源极靠近漏极的侧壁和漏极靠近源极的侧壁之间形成倒梯形状，去除第一光阻层和第二光阻层。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，在去除有源层两侧表面上的第一光阻层时，包括如下步骤：

用氧气处理或者离子轰击的方式去除有源层两侧表面上的第一光阻层。

3.根据权利要求2所述的一种薄膜场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：

对有源层的两侧进行离子掺 杂，减小源极、漏极与有源层的接触阻抗。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：

在栅极绝缘层上制作覆盖源极、漏极和有源层的绝缘层；

在绝缘层上制作连通漏极的开口；

在绝缘层上制作平坦层，在平坦层上制作开口，平坦层上的开口与绝缘层在漏极上的开口相通；

在平坦层上制作阳极，阳极通过平坦层上的开口与漏极连接；

在阳极上制作覆盖阳极的画素定义层，在画素定义层上制作连通阳极的孔；

在画素定义层上制作至少为一列的支撑层，支撑层用以支撑基板与盖板；

在画素定义层上的孔内制作发光层；

在画素定义层上制作阴极，阴极与画素定义层、支撑层和发光层连接。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述有源层为铟镓锌氧化物。

6.一种薄膜场效应晶体管结构，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管结构由权利要求1至5任意一项所述的薄膜场效应晶体管结构的制作方法制得。