[发明专利]一种单晶制绒的提拉方法及装置有效
| 申请号： | 201911132267.5 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110752263B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 贾永前;樊欢欢;董慧 | 申请（专利权）人： | 晶海洋半导体材料（东海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 徐颖聪 |
| 地址： | 222000 江苏省连*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶制绒的提拉方法及装置，其中，单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，包括：在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，以所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜的角度，所述第一角度小于第二角度。根据本发明实施例的光单晶制绒的提拉方法，能够在单晶制绒清洗硅片过程中，提高硅片脱水效果，减少硅片边缘制绒发白的问题，提高硅片良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶制绒 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，其特征在于，包括：/n在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；/n在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，所述第一角度小于第二角度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
