[发明专利]一种单晶制绒的提拉方法及装置

说明书

本发明提供一种单晶制绒的提拉方法及装置，其中，单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，包括：在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，以所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜的角度，所述第一角度小于第二角度。根据本发明实施例的光单晶制绒的提拉方法，能够在单晶制绒清洗硅片过程中，提高硅片脱水效果，减少硅片边缘制绒发白的问题，提高硅片良品率。

技术领域

本发明涉及一种单晶制绒的提拉方法及装置。

背景技术

单晶硅片加工过程中，越来越多的采用金刚线切割技术，金刚线切割属于固结磨料切割，对比砂线切割，金刚线切割的特点为表面致密、光滑，在后续单晶硅片制绒过程中，碱液与金刚线切割硅片表面的反应速度较慢，制绒过程对脏污的屏蔽能力减弱，会造成制绒发白斑、白边等问题，现有单晶清洗工艺往往只重视硅片的药剂配比，添加量，药槽清洗时间及清洗温度方面细微调整，但是对单晶制绒脏污的改善都不理想。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种单晶制绒的提拉方法及装置，用以提高硅片脱水均匀性及制绒后的洁净度。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明第一方面实施例的单晶制绒的慢提拉方法，用于硅片的预脱水中，所述硅片装在花篮的插槽中，包括：

在所述硅片离开水的表面之前，将盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度；

在所述硅片离开水的表面之后，将盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，以使所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜，所述第一角度小于第二角度。

所述第一角度及第二角度是指花篮底部平面相对于水的表面的角度。

优选地，所述第一角度范围为0°到10°之间。

优选地，当所述硅片的厚度在165-180μm时，所述第二角度为20-40，优选为21°。

优选地，通过控制程序控制所述花篮倾斜的第一角度和第二角度。

优选地，在所述硅片离开水的表面之前，硅片在水中提拉的时间为10-60s，优选为30s，在所述硅片离开水的表面之后，硅片的提拉的时间为10-60s，优选为30s。

根据本发明第二方面实施例的单晶制绒的慢提拉装置，包括：

提拉架；

花篮，所述花篮固定在所述提拉架上，所述花篮内部设有多个用于盛装硅片的插槽；

驱动装置，所述驱动装置与所述提拉架连接，用于驱动所述提拉架翻转以调节所述花篮倾斜的角度；

所述驱动装置在所述硅片离开水的表面之前，驱动盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度，以使所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜，并在所述硅片离开水的表面之后，驱动盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度，以增大所述硅片向所述插槽的侧壁倾斜的角度，所述第一角度小于第二角度。

优选地，所述单晶制绒的慢提拉装置，还包括：

控制器，所述控制器与所述驱动装置连接，并控制所述驱动装置在所述硅片离开水的表面之前，驱动盛装所述硅片的花篮倾斜第一角度，并在所述硅片离开水的表面之后，驱动盛装所述硅片的花篮倾斜第二角度。

优选地，所述第一角度范围在0°到10°之间。

优选地，当所述硅片的厚度在165-180μm时，所述第二角度为20-40°，优选地21°。

优选地，所述单晶制绒的慢提拉装置，还包括：

液位传感器，所述液位传感器与所述控制器连接，所述液位传感器用于监测硅片是否离开水的表面。