[发明专利]一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911115642.5 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828559A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王清波;薛东风;赵杰;薛智民;孙有民;杜欣荣;温富刚;卓青青 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 郭瑶 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法，横向PNP晶体管是通过在N型外延层上进行选择性的P型杂质掺杂形成：由一个P型掺杂区构成PNP晶体管的发射区，在发射区外由一个完整或部分的环形P型掺杂区构成PNP晶体管的集电区，在两个P型掺杂区之间是N型掺杂的外延层，形成PNP晶体管的基区，从而构成一个横向的P‑N‑P结构，形成横向PNP晶体管。它与传统PNP管的区别在于：新型结构横向PNP晶体管的P型集电区单独进行掺杂，使P型集电区杂质浓度低于N型基区浓度，当PNP晶体管CE电压增大时，由于横向PNP晶体管P型集电区浓度低于N型集区，CB结空间电荷区主要向P型集电区扩展，抑制因CE电压增大导致的基区宽度变化，从而获得较高的厄利电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高厄利 电压 横向 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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