[发明专利]一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高厄利电压横向晶体管结构，其特征在于，包括N型外延层(1)，所述N型外延层(1)上部自内向外依次设置有发射区(61)、基区(5)和集电区(4)；其中，集电区(4)中设置有集电极接触引出区(62)，集电区(4)掺杂杂质为硼，基区(5)掺杂杂质为磷，集电区(4)掺杂的杂质浓度低于基区(5)掺杂的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的一种高厄利电压横向晶体管结构，其特征在于，所述晶体管的表面覆盖二氧化硅层(3)。

3.根据权利要求1所述的一种高厄利电压横向晶体管结构，其特征在于，所述集电区(4)、基区(5)、发射区(61)以及集电极接触引出区(62)的结深相同。

4.根据权利要求1所述的一种高厄利电压横向晶体管结构，其特征在于，所述发射区(61)、基区(5)、集电区(4)和集电极接触引出区(62)的形状相同。

5.根据权利要求4所述的一种高厄利电压横向晶体管结构，其特征在于，所述发射区(61)、基区(5)、集电区(4)和集电极接触引出区(62)为圆环形或正方环形。

6.根据权利要求4所述的一种高厄利电压横向晶体管结构，其特征在于，所述发射区(61)和基区(5)为圆环形，集电区(4)和集电极接触引出区(62)为圆心角30°～360°的扇环。

7.一种权利要求1所述的高厄利电压横向晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在N型外延层(1)表面生长二氧化硅层(3)；

步骤2、在二氧化硅层(3)表面涂覆光刻胶，光刻形成横向PNP晶体管的基区窗口(11)；

步骤3、对PNP晶体管基区(5)进行N型杂质选择性掺杂，去掉步骤2涂覆的光刻胶；

步骤4、在二氧化硅层(3)表面涂覆光刻胶，光刻形成横向PNP晶体管的集电区窗口(12)；

步骤5、对PNP晶体管集电区所在区域进行P型杂质选择性掺杂，注入剂量小于步骤3中PNP晶体管基区(5)的注入剂量，去掉步骤4涂覆的光刻胶；

步骤6、在二氧化硅层(3)表面涂覆光刻胶，光刻形成横向PNP晶体管的发射区和集电极欧姆接触引出区窗口(13)；

步骤7、对PNP晶体管发射区(61)和集电极接触引出区(62)所在的区域进行P型杂质选择性掺杂，去掉步骤6涂覆的光刻胶；

步骤8、进行注入退火和杂质再分布，形成横向PNP晶体管的集电区(4)、基区(5)、发射区(61)以及集电极接触引出区(62)。