[发明专利]器件的制造方法在审
| 申请号： | 201911113621.X | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111192823A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李善佶;山口达也;佐藤渚;野泽秀二 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种器件的制造方法。在具有凹部的被处理体的处理中，保护凹部，并且减少凹部内的残渣。器件的制造方法包含：准备工序、埋入工序、层叠工序、第1去除工序、处理工序以及第2去除工序。在准备工序中，准备具有凹部的被处理体。在埋入工序中，在凹部内埋入由能够热分解的有机材料形成的牺牲材料。在层叠工序中，在埋入凹部内的牺牲材料上层叠临时密封膜。在第1去除工序中，通过以第1温度对被处理体进行退火从而使牺牲材料热分解，而经由临时密封膜使凹部内的牺牲材料去除。在处理工序中，在由临时密封膜覆盖了凹部的状态下，对被处理体的除凹部以外的部分施加规定的处理。在第2去除工序中，去除临时密封膜。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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