[发明专利]器件的制造方法在审
| 申请号： | 201911113621.X | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111192823A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李善佶;山口达也;佐藤渚;野泽秀二 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 制造 方法 | ||
1.一种器件的制造方法，其中，
该器件的制造方法包含：
准备工序，准备具有凹部的被处理体；
埋入工序，在所述凹部内埋入由能够热分解的有机材料形成的牺牲材料；
层叠工序，在埋入所述凹部内的所述牺牲材料上层叠临时密封膜；
第1去除工序，通过以第1温度对所述被处理体进行退火从而使所述牺牲材料热分解，并经由所述临时密封膜使所述凹部内的所述牺牲材料去除；
处理工序，在由所述临时密封膜覆盖了所述凹部的状态下，对所述被处理体的所述凹部以外的部分施加规定的处理；以及
第2去除工序，去除所述临时密封膜。
2.根据权利要求1所述的器件的制造方法，其中，
在所述埋入工序中，
通过在所述被处理体的上表面层叠所述牺牲材料，从而在向所述凹部内埋入了所述牺牲材料之后，以比所述第1温度低的第2温度对所述被处理体进行退火，从而利用热分解去除所述被处理体的除所述凹部以外的上表面的所述牺牲材料。
3.根据权利要求2所述的器件的制造方法，其中，
所述第1温度为300℃以上的温度，
所述第2温度为250℃以上且小于300℃的范围内的温度。
4.根据权利要求1所述的器件的制造方法，其中，
在所述埋入工序中，
通过在所述被处理体的上表面层叠所述牺牲材料，从而在向所述凹部内埋入了所述牺牲材料之后，将所述被处理体暴露于氧等离子体，从而利用灰化去除所述被处理体的除所述凹部以外的上表面的所述牺牲材料。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的器件的制造方法，其中，
所述牺牲材料为具有脲键的聚合物，该脲键利用多种单体的聚合而生成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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