[发明专利]器件的制造方法

说明书

本发明提供一种器件的制造方法。在具有凹部的被处理体的处理中，保护凹部，并且减少凹部内的残渣。器件的制造方法包含：准备工序、埋入工序、层叠工序、第1去除工序、处理工序以及第2去除工序。在准备工序中，准备具有凹部的被处理体。在埋入工序中，在凹部内埋入由能够热分解的有机材料形成的牺牲材料。在层叠工序中，在埋入凹部内的牺牲材料上层叠临时密封膜。在第1去除工序中，通过以第1温度对被处理体进行退火从而使牺牲材料热分解，而经由临时密封膜使凹部内的牺牲材料去除。在处理工序中，在由临时密封膜覆盖了凹部的状态下，对被处理体的除凹部以外的部分施加规定的处理。在第2去除工序中，去除临时密封膜。

技术领域

本公开的各方面和实施方式涉及一种器件的制造方法。

背景技术

在具有传感器、功率管理功能的模拟半导体集成电路装置中，为了应对复杂的模拟信号、各种输入电压的处理，存在设有阈值电压不同的多个晶体管的情况。例如能够通过控制栅电极层的厚度，控制晶体管的阈值电压。

例如，对于在基板上制作阈值不同的多个晶体管的情况，在基板上的全部晶体管层叠栅电极膜(层叠工序)。然后，利用掩模材料保护一部分晶体管，利用蚀刻等去除未由掩模材料保护的晶体管的栅电极膜(去除工序)。然后，去除掩模材料，再次在层叠工序中，在基板上的全部晶体管层叠栅电极膜。通过重复层叠工序和去除工序，从而制作厚度不同的栅电极膜层叠而成的晶体管。

非专利文献1：日本特开2007－36018号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供在具有凹部的被处理体的处理中能够保护凹部并且能够减少凹部内的残渣的器件的制造方法。

用于解决问题的方案

本公开的一方面为一种器件的制造方法，其中，该器件的制造方法包含：准备工序、埋入工序、层叠工序、第1去除工序、处理工序以及第2去除工序。在准备工序中，准备具有凹部的被处理体。在埋入工序中，在凹部内埋入由能够热分解的有机材料形成的牺牲材料。在层叠工序中，在埋入凹部内的牺牲材料上层叠临时密封膜。在第1去除工序中，通过以第1温度对被处理体进行退火从而使牺牲材料热分解，而经由临时密封膜使凹部内的牺牲材料去除。在处理工序中，在由临时密封膜覆盖了凹部的状态下，对被处理体的除凹部以外的部分施加规定的处理。在第2去除工序中，去除临时密封膜。

发明的效果

根据本公开的各个方面和实施方式，在具有凹部的被处理体的处理中能够保护凹部，并且能够减少凹部内的残渣。

附图说明

图1是表示本公开的一实施方式的器件的制造方法的一个例子的流程图。

图2是表示制造器件所使用的被处理体的一个例子的剖视图。

图3是表示埋入装置的一个例子的概略剖视图。

图4是表示在各个凹部埋入了牺牲材料后的被处理体的一个例子的剖视图。

图5A是表示退火装置的一个例子的概略剖视图。

图5B是表示灰化装置的一个例子的概略剖视图。

图6是表示去除了牺牲材料的一部分后的被处理体的一个例子的剖视图。

图7是表示层叠了临时密封膜后的被处理体的一个例子的剖视图。

图8是表示去除了牺牲材料后的被处理体的一个例子的剖视图。

图9是表示层叠了掩模材料和PR后的被处理体的一个例子的剖视图。