[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911112942.8 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111029406A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;程晓红;张青竹;殷华湘;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：硅衬底；若干鳍状结构，形成在硅衬底上，且沿第一方向延伸；浅槽隔离，位于若干鳍状结构之间；栅堆叠，与若干鳍状结构相交，且沿第二方向延伸，其沿第一方向两侧的侧壁上形成有第一侧墙；源/漏区，形成在若干鳍状结构上，且位于栅堆叠沿第一方向上的两侧；沟道区，包括位于第一侧墙之间的鳍状结构；其中，鳍状结构与硅衬底之间具有向内凹入的凹口结构，凹口结构内形成有隔离物，能够将鳍状结构与硅衬底隔离。本发明提供的半导体器件在硅衬底上方，且在Ge等高迁移率沟道下方的凹口结构内具有氧化物进行隔离，可以在保持高性能的条件下降低漏电流，从而改善器件特性。本发明还提供一种半导体器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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