[发明专利]一种纳米线压力传感器制备方法有效
| 申请号： | 201911109178.9 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112798163B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 解婧;李超波;邢建鹏;林琳;刘金虎;刘瑞琪;郜晨希 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01L5/00 | 分类号： | G01L5/00;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种纳米线压力传感器制备方法，所述方法包括：获取有机材料基底；根据需要获取的纳米线阵列结构，在所述基底上制备凹槽阵列；在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成纳米线阵列；其中，所述纳米线阵列中包含多个纳米线单元；在所述基底上附着与所述纳米线阵列相连的金属电极，获得纳米线压力传感器；其中，每个所述纳米线单元至少连接一个所述金属电极。本发明提供的方法可制备高感知度的压力传感器，并且适用于大范围的压力传感器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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