[发明专利]一种纳米线压力传感器制备方法

说明书

本发明实施例提供的一种纳米线压力传感器制备方法，所述方法包括：获取有机材料基底；根据需要获取的纳米线阵列结构，在所述基底上制备凹槽阵列；在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成纳米线阵列；其中，所述纳米线阵列中包含多个纳米线单元；在所述基底上附着与所述纳米线阵列相连的金属电极，获得纳米线压力传感器；其中，每个所述纳米线单元至少连接一个所述金属电极。本发明提供的方法可制备高感知度的压力传感器，并且适用于大范围的压力传感器的制备。

技术领域

本发明涉及微电子及半导体技术领域，具体而言，涉及一种纳米线压力传感器制备方法。

背景技术

目前，应变式的压力传感器基本原理是将外物形变有效的转化为可探测电信号，其传感方式包括了压阻式、压电式、电容式、光电效应等多种机电传感机理。其中，压阻式的压力传感器作为研究应用领域最为广泛的一种类型，是将力学变量通过检测材料的电阻变化，可以方便的利用电学实时检测系统来感知压力变化。另外，电容式压力传感器，其压力敏感单元通常为可变参数的电容结构，通过改变电容间距d、电容面积s、和介电常数ε等参数来改变电容值，从而反应受到的不同的压力状态。

但现有的压力传感器制备方式仅能制备小面积的压力传感器，并且制备出的传感器感知精度不高，难以相互配合在大面积范围内使用。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种纳米线压力传感器制备方法，可制备高感知度的压力传感器，并且适用于大面积的压力传感器的制备。

第一方面，本申请通过一实施例提供如下技术方案：

一种纳米线压力传感器制备方法，所述方法包括：

获取有机材料基底；

根据需要获取的纳米线阵列结构，在所述基底上制备凹槽阵列；

在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成纳米线阵列；其中，所述纳米线阵列中包含多个纳米线单元；

在所述基底上附着与所述纳米线阵列相连的金属电极，获得纳米线压力传感器；其中，每个所述纳米线单元至少连接一个所述金属电极。

优选地，所述在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成纳米线阵列之前，还包括：

对所述基底上具有凹槽阵列的表面进行表面处理；所述表面处理为等离子体处理、氧化剂浸泡、高温处理和激光辐照中的一种或多种。

优选地，所述在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成纳米线阵列之前，还包括：

在所述基底上非凹槽的区域覆盖掩膜；

其中，所述在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成纳米线阵列之后，包括：

将所述掩膜去除。

优选地，所述在基底上附着与纳米线阵列相连的金属电极之后，包括：

对所述基底进行高温定型处理。

优选地，所述基底为柔性薄膜基底，所述在基底上附着与纳米线阵列相连的金属电极，获得纳米线压力传感器，包括：

在基底上附着与纳米线阵列相连的金属电极；

将所述柔性薄膜基底附着到目标结构的表层；其中，所述目标结构为需要进行压力检测的结构；

对所述纳米线阵列、所述金属电极以及所述基底进行高温处理，获得所述纳米线压力传感器。

优选地，所述在基底上附着与纳米线阵列相连的金属电极之前，还包括：

在所述金属电极附着的位置附着金属粘附层；

在所述金属粘附层上附着与纳米线阵列相连的金属电极。