[发明专利]一种纳米线压力传感器制备方法

权利要求书

1.一种纳米线压力传感器制备方法，其特征在于，所述方法包括：

获取有机材料基底；

根据需要获取的纳米线阵列结构，在所述基底上制备多个凹槽阵列；在所述基底上，每相邻两个所述凹槽阵列之间的排布方向相互垂直；每个所述凹槽阵列均包括第一凹槽阵列和第二凹槽阵列，所述第一凹槽阵列和所述第二凹槽阵列中均包括多个凹槽单元，所述第一凹槽阵列的每相邻两个凹槽单元之间存在一所述第二凹槽阵列的凹槽单元；

在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成多个纳米线阵列；其中，每相邻两个所述纳米线阵列之间的排布方向相互垂直，所述纳米线阵列中包含多个纳米线单元；

在所述基底上附着与所述纳米线阵列相连的金属电极，获得纳米线压力传感器；其中，每个所述纳米线单元至少连接一个所述金属电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成纳米线阵列之前，还包括：

对所述基底上具有凹槽阵列的表面进行表面处理；所述表面处理为等离子体处理、氧化剂浸泡、高温处理和激光辐照中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成纳米线阵列之前，还包括：

在所述基底上非凹槽的区域覆盖掩膜；

其中，所述在所述凹槽阵列中填充导电材料，形成纳米线阵列之后，包括：

将所述掩膜去除。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基底上附着与所述纳米线阵列相连的金属电极之后，包括：

对所述基底进行高温定型处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为柔性薄膜基底，所述在所述基底上附着与所述纳米线阵列相连的金属电极，获得纳米线压力传感器，包括：

在基底上附着与纳米线阵列相连的金属电极；

将所述柔性薄膜基底附着到目标结构的表层；其中，所述目标结构为需要进行压力检测的结构；

对所述纳米线阵列、所述金属电极以及所述基底进行高温处理，获得所述纳米线压力传感器。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基底上附着与所述纳米线阵列相连的金属电极之前，还包括：

在所述金属电极附着的位置附着金属粘附层；

在所述金属粘附层上附着与纳米线阵列相连的金属电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽阵列形成的平面结构为蜂窝状。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属电极宽范围为1μm-1mm，厚度范围为100nm-1μm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的宽度为500nm-100μm。