[发明专利]一种NaV2

摘要

本发明公开了一种NaV2O5晶体薄膜的制备方法，该方法主要包括以下步骤：a)，将载玻片置于ALD反应腔；b)，利用ALD技术在载玻片表面沉积氧化钒薄膜，具体步骤为：向ALD腔内注入第一种前驱体；待反应充分后用惰性载气吹扫；随后注入第二种反应前驱体；待反应充分后用惰性载气吹扫；c)，循环执行上述操作，控制循环周期数获得一定厚度范围的氧化钒薄膜；d)，将样品置退火炉中，在高纯氧气下300℃结晶处理；e)，将结晶处理后的样品置于退火炉中，在还原性气氛下500℃退火得到NaV2O5晶体薄膜。本发明所采用的制备方法具有自动化程度高、薄膜厚度控制精确、重复性好。本发明所制备的NaV2O5晶体薄膜可用于锂电池电极材料及纳米光学器件研究。

主权项

1.一种NaV