[发明专利]基于梯度硅铝合金的内置流道电子封装模块及其成形方法有效

专利信息
申请号: 201911103114.8 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN110729251B 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 李斐;邢大伟 申请(专利权)人: 泰州铸鼎新材料制造有限公司;哈工大泰州创新科技研究院有限公司
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/06;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/433;H01L23/473;H01L21/56;B23P15/00
代理公司: 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人: 张莉瑜
地址: 225300 江苏省泰州市医药高新技术产*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于梯度硅铝合金的内置流道电子封装模块及其成形方法,所述内置流道电子封装模块包括封装盒体和盖板,其中:所述封装盒体的材料为梯度硅铝合金;所述梯度硅铝合金是沿某一方向硅含量呈梯度变化的高硅铝合金,沿该方向硅的体积分数由低到高呈现梯度变化;所述封装盒体具有内腔结构和蛇形流道结构;所述内腔结构在高硅层处加工;所述蛇形流道在低硅层处加工。该封装模块拥有优异的散热能力,同时该模块梯度硅铝的高硅层还具有与芯片良好的热匹配性,适用于提高电子信息领域封装模块的散热能力。
搜索关键词: 基于 梯度 铝合金 内置 电子 封装 模块 及其 成形 方法
【主权项】:
1.一种基于梯度硅铝合金的内置流道电子封装模块,其特征在于所述内置流道电子封装模块包括封装盒体和盖板,其中:/n所述封装盒体的材料为梯度硅铝合金;/n所述梯度硅铝合金是沿某一方向硅含量呈梯度变化的高硅铝合金,沿该方向硅的体积分数由低到高呈现梯度变化;/n所述封装盒体具有内腔结构和蛇形流道结构;/n所述内腔结构在高硅层处加工;/n所述蛇形流道在低硅层处加工。/n
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