[发明专利]芯片电极的制备方法及制备装置在审

专利信息
申请号: 201911071818.1 申请日: 2019-11-05
公开(公告)号: CN110911524A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 王鑫;谭振;祁娇娇;宁提;周立庆 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 田卫平
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出了一种芯片电极的制备方法及制备装置,制备方法包括:将芯片放置于真空腔室内进行金属化沉积以形成芯片的电极;对形成电极的芯片进行加热,达到第一预设温度后维持预设时间;在真空腔室内,对芯片进行降温,使芯片降温至第二预设温度,以完成芯片电极的制备。根据本发明的芯片电极的制备方法,通过电极制备完成后直接在真空腔室内进行原位退火的方法,有效减小了芯片在电极制备完成后到电极退火之间可能产生的损伤,有效降低了电极的接触电阻,提高了电极与半导体之间的欧姆接触的效果,提升了芯片的性能。
搜索关键词: 芯片 电极 制备 方法 装置
【主权项】:
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