[发明专利]芯片电极的制备方法及制备装置在审
申请号: | 201911071818.1 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN110911524A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 王鑫;谭振;祁娇娇;宁提;周立庆 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 田卫平 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种芯片电极的制备方法及制备装置,制备方法包括:将芯片放置于真空腔室内进行金属化沉积以形成芯片的电极;对形成电极的芯片进行加热,达到第一预设温度后维持预设时间;在真空腔室内,对芯片进行降温,使芯片降温至第二预设温度,以完成芯片电极的制备。根据本发明的芯片电极的制备方法,通过电极制备完成后直接在真空腔室内进行原位退火的方法,有效减小了芯片在电极制备完成后到电极退火之间可能产生的损伤,有效降低了电极的接触电阻,提高了电极与半导体之间的欧姆接触的效果,提升了芯片的性能。 | ||
搜索关键词: | 芯片 电极 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的