[发明专利]芯片电极的制备方法及制备装置

权利要求书

1.一种芯片电极的制备方法，其特征在于，包括：

将芯片放置于真空腔室内进行金属化沉积以形成所述芯片的电极；

对形成电极的芯片进行加热，达到第一预设温度后维持预设时间；

在所述真空腔室内，对所述芯片进行降温，使所述芯片降温至第二预设温度，以完成所述芯片电极的制备。

2.根据权利要求1所述的芯片电极的制备方法，其特征在于，在对所述芯片进行降温的过程中，向所述真空腔室内通入氮气。

3.根据权利要求2所述的芯片电极的制备方法，其特征在于，在对形成电极的芯片进行加热时，向所述真空腔室内通入氮气。

4.根据权利要求1所述的芯片电极的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度的取值范围为160℃-180℃。

5.根据权利要求1所述的芯片电极的制备方法，其特征在于，所述预设时间的范围为2min-5min。

6.根据权利要求1所述的芯片电极的制备方法，其特征在于，所述第二预设温度为环境室温。

7.一种芯片电极的制备装置，其特征在于，包括：

壳体，所述壳体限定出真空腔室；

样品盘，所述样品盘用于放置待加工的芯片；

温度控制器，用于对待加工的所述芯片进行加热；

其中，在所述真空腔室内采用根据权利要求1-6中任一项所述的芯片电极的制备方法制备所述芯片的电极。

8.根据权利要求7所述的芯片电极的制备装置，其特征在于，所述壳体上设有连通所述真空腔室的通气孔，以向所述真空腔室内通入氮气。

9.根据权利要求7所述的芯片电极的制备装置，其特征在于，所述样品盘可放置多个待加工芯片。

10.根据权利要求7所述的芯片电极的制备装置，其特征在于，所述温度控制器与所述样品盘连接。