[发明专利]芯片电极的制备方法及制备装置

说明书

本发明提出了一种芯片电极的制备方法及制备装置，制备方法包括：将芯片放置于真空腔室内进行金属化沉积以形成芯片的电极；对形成电极的芯片进行加热，达到第一预设温度后维持预设时间；在真空腔室内，对芯片进行降温，使芯片降温至第二预设温度，以完成芯片电极的制备。根据本发明的芯片电极的制备方法，通过电极制备完成后直接在真空腔室内进行原位退火的方法，有效减小了芯片在电极制备完成后到电极退火之间可能产生的损伤，有效降低了电极的接触电阻，提高了电极与半导体之间的欧姆接触的效果，提升了芯片的性能。

技术领域

本发明涉及红外探测器技术领域，尤其涉及一种芯片电极的制备方法及制备装置。

背景技术

随着碲镉汞红外技术的发展，对碲镉汞芯片的性能要求越来越高，电极与芯片之间良好的欧姆接触对器件性能有很好的提升作用。为了降低半导体和金属电极之间的接触电阻，使半导体和金属电极之间形成良好的欧姆接触，在制备好电极之后要对电极进行退火，目前采用的方法是：在制备好电极后，先将芯片从制备电极的真空腔室内取出，再转移到退火炉中进行电极退火。这种方法存在的问题是：当芯片从真空腔室取出时，会暴露在空气中，对金属层表面造成沾污，在后续的热处理过程中，沾污离子会进入金属层，造成欧姆接触的质量下降，对探测器的性能造成影响。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何在芯片的电极与半导体之间形成良好的欧姆接触，本发明提出了一种芯片电极的制备方法及制备装置。

根据本发明实施例的芯片电极的制备方法，包括：

将芯片放置于真空腔室内进行金属化沉积以形成所述芯片的电极；

对形成电极的芯片进行加热，达到第一预设温度后维持预设时间；

在所述真空腔室内，对所述芯片进行降温，使所述芯片降温至第二预设温度，以完成所述芯片电极的制备。

根据本发明实施例的芯片电极的制备方法，通过电极制备完成后直接在真空腔室内进行原位退火的方法，有效减小了芯片在电极制备完成后到电极退火之间可能产生的损伤，有效降低了电极的接触电阻，提高了电极与半导体之间的欧姆接触的效果，提升了芯片的性能。

根据本发明的一些实施例，在对所述芯片进行降温的过程中，向所述真空腔室内通入氮气。

在本发明的一些实施例中，在对形成电极的芯片进行加热时，向所述真空腔室内通入氮气。

根据本发明的一些实施例，所述第一预设温度的取值范围为160℃-180℃。

在本发明的一些实施例中，所述预设时间的范围为2min-5min。

根据本发明的一些实施例，所述第二预设温度为环境室温。

根据本发明实施例的芯片电极的制备装置，包括：

壳体，所述壳体限定出真空腔室；

样品盘，所述样品盘用于放置待加工的芯片；

温度控制器，用于对待加工的所述芯片进行加热；

其中，在所述真空腔室内采用上述所述的芯片电极的制备方法制备所述芯片的电极。

根据本发明实施例的芯片电极的制备装置，通过电极制备完成后直接在真空腔室内进行原位退火的方法，有效减小了芯片在电极制备完成后到电极退火之间可能产生的损伤，有效降低了电极的接触电阻，提高了电极与半导体之间的欧姆接触的效果，提升了芯片的性能。

根据本发明的一些实施例，所述壳体上设有连通所述真空腔室的通气孔，以向所述真空腔室内通入氮气。

在本发明的一些实施例中，所述样品盘可放置多个待加工芯片。

根据本发明的一些实施例，所述温度控制器与所述样品盘连接。