[发明专利]一种可抑制逆反应的半导体光催化分解水的方法有效

专利信息
申请号: 201911070676.7 申请日: 2019-11-05
公开(公告)号: CN112777565B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 李灿;李政 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C01B3/04 分类号: C01B3/04;C01B13/02;B01J27/24;B01J35/10
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 李奇
地址: 116023 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供了一种可抑制逆反应的半导体光催化完全分解水的方法。本发明在负载有贵金属(Rh、Pt、Pd等)助剂的半导体光催化剂表面,通过粉末原子层沉积的方法,修饰微量的的Al2O3、SiO2等氧化物有效抑制了光催化分解水过程中逆反应的发生。不同于已公开报道的其他抑制逆反应的方法,本发明提供的修饰策略没有明显增加助剂与溶液环境之间的物质传输阻力,也不会引入竞争性副反应,从而能够极大地提升光催化剂的分解水性能。此策略可用于光催化全分解水反应中氢氧逆反应的抑制,也可用于其他贵金属存在条件下因为安全因素需要阻止气氛中氢氧复合反应发生的情况。
搜索关键词: 一种 可抑制 逆反应 半导体 光催化 分解 方法
【主权项】:
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