[发明专利]一种可抑制逆反应的半导体光催化分解水的方法有效
| 申请号： | 201911070676.7 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112777565B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李灿;李政 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01B3/04 | 分类号： | C01B3/04;C01B13/02;B01J27/24;B01J35/10 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 李奇 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可抑制 逆反应 半导体 光催化 分解 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可抑制逆反应的半导体光催化分解水的方法，其特征在于：采用的半导体光催化剂包括半导体材料、贵金属助催化剂以及落位在贵金属助催化剂边角位点上的表面修饰氧化物；贵金属助催化剂为Pt或Rh；
在贵金属助催化剂Pt上，有效的表面修饰氧化物为Al2O3或SiO2；在贵金属助催化剂Rh上，有效的表面修饰氧化物为Al2O3；光催化剂中表面修饰氧化物的质量含量为0.01%~0.08%；
所述半导体光催化剂中落位在贵金属助催化剂边角位点上表面修饰氧化物的制备过程为：
采用原子层沉积（ALD）的方式将惰性氧化物沉积到贵金属助催化剂的边角位点上。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：适用的半导体材料为GaN-ZnO。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：ALD沉积SiO2的过程为一个以上的ALD循环，一个ALD循环的过程包括，在真空腔室内，将负载有贵金属助剂的半导体材料粉末或半导体光催化剂粉末依次暴露于吡啶、四氯化硅、氮气气流、吡啶、水、氮气气流，暴露时间分别为20s~360s，所用的温度皆为室温，管线温度为20℃~40℃，真空腔室温度为40℃~220℃；最后，催化剂粉末在300℃~500℃空气中退火处理30min。
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