[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电器设备有效
| 申请号： | 201911054305.X | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750899B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 兰昊;冯宇翔 | 申请（专利权）人： | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 瞿璨 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市顺德区北*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件及其制备方法、电器设备。该半导体器件包括硅基片、自举电极和绝缘层。硅基片上形成有发射极、栅极和集电极。自举电极形成在硅基片上。绝缘层形成于所述硅基片上；位于所述发射极和所述自举电极之间，使得所述发射极和所述自举电极之间构成自举电容。本申请的半导体器件集成有自举电容，无需在电路中另外连接自举电容，简化电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电器设备 | ||
【主权项】：
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