[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电器设备

说明书

本申请公开一种半导体器件及其制备方法、电器设备。该半导体器件包括硅基片、自举电极和绝缘层。硅基片上形成有发射极、栅极和集电极。自举电极形成在硅基片上。绝缘层形成于所述硅基片上；位于所述发射极和所述自举电极之间，使得所述发射极和所述自举电极之间构成自举电容。本申请的半导体器件集成有自举电容，无需在电路中另外连接自举电容，简化电路结构。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法、电器设备。

背景技术

现在的大多数电路结构中都会用到半导体器件，甚至于可以用一块硅基片集成电路结构中的多个半导体器件。但是，目前通过一块硅基片制成的多个半导体器件无法构成完整的电路，还需与外部的电元件连接才能构成完整的电路，电路结构复杂，例如图1中的IPM模块100外围还需要连接自举电容131-133，配合集成的自举二极管才能实现完整的自举功能。

发明内容

本申请主要的目的是提供一种半导体器件及其制备方法、电器设备，本申请的半导体器件集成有自举电容，无需在电路中另外连接自举电容，简化电路结构。

为达到上述目的，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体器件，该半导体器件包括硅基片、自举电极和绝缘层。硅基片上形成有发射极、栅极和集电极。自举电极形成在硅基片上。绝缘层形成于硅基片上；位于发射极和自举电极之间，使得发射极和自举电极之间构成自举电容。

为达到上述目的，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种电器设备，该电器设备包括上述的半导体器件。

为达到上述目的，本申请采用的又一个技术方案为：提供一种半导体器件的制备方法，该方法包括：

提供硅基片；

在硅基片上形成绝缘层、自举电极和发射极；

其中，绝缘层位于发射极和自举电极之间，使得发射极和自举电极之间构成自举电容。

本申请在硅基片上形成自举电极，将发射极和自举电极构成自举电容的两极，并将硅基片上形成的绝缘层作为发射极和自举电极之间的绝缘介质，从而发射极、自举电极和绝缘层可构成自举电容，从而将自举电容集成于半导体器件中，无需在电路中另外连接自举电容，简化电路结构。

附图说明

图1是现有技术中的IPM模块外接自举电容的结构示意图；

图2是本申请一实施方式半导体器件的结构示意图；

图3是图2所示的半导体器件的A-A’剖面示意图；

图4是本申请半导体器件一实施方式中硅基片的结构示意图；

图5是本申请半导体器件的制备方法一实施方式的流程示意图；

图6是本申请电器设备一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅是本申请的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。

需要说明，若本申请实施方式中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。