[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电器设备

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

硅基片，所述硅基片上形成有发射极、栅极和集电极；

自举电极，形成在所述硅基片上；

绝缘层，形成于所述硅基片上；位于所述发射极和所述自举电极之间，使得所述绝缘层与所述发射极以及所述自举电极配合构成自举电容，且所述发射极为所述自举电容的一端电极；

其中，作为所述自举电容另一端电极的所述自举电极给所述栅极驱动供电。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述硅基片上形成有凹槽，所述凹槽内壁形成所述绝缘层，所述自举电极设置于所述凹槽内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述凹槽的数量为至少两个，每一凹槽中设置一自举电极，所述至少两个凹槽中的至少两个自举电极串联连接。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述凹槽进一步穿设形成于所述发射极，所述发射极被所述凹槽分隔为第一子发射极和第二子发射极，所述第一子发射极和所述第二子发射极串联。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述硅基片上还形成有第一子掺杂区和第二子掺杂区，所述第一子掺杂区和所述第二子掺杂区由所述凹槽分隔，所述第一子掺杂区连接于所述第一子发射极，所述第二子掺杂区连接所述第二子发射极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述集电极位于所述硅基片的中间位置，所述栅极围绕所述集电极设置，所述发射极和所述自举电极均围绕所述栅极设置。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述硅基片上还形成有N型漂移区、P型体区、N型缓冲区、N型源区、P型源区、P型漏区和介质层；

所述P型源区围绕所述N型漂移区设置；

所述P型体区和所述N型缓冲区设置在所述N型漂移区上；

所述N型源区设置在所述P型体区内；

所述P型漏区设置在所述N型缓冲区内；

所述介质层设置在所述N型漂移区、所述P型体区、所述N型缓冲区、所述N型源区和所述P型漏区上；

所述发射极围绕所述介质层设置；

所述栅极和所述集电极设置在所述介质层内；

其中，所述P型源区和所述N型源区与所述发射极相连，所述集电极可与所述P型漏区相连；所述N型漂移区、所述P型体区、所述N型源区、所述P型源区、所述N型缓冲区和所述P型漏区中的至少部分由硅基片制备而成。

8.一种电器设备，其特征在于，所述电器设备包括如权利要求1至7任意一项所述的半导体器件。

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供硅基片；

在所述硅基片上形成绝缘层、自举电极和发射极；

其中，所述绝缘层位于所述发射极和所述自举电极之间，使得所述绝缘层与所述发射极以及所述自举电极配合构成自举电容，且所述发射极为所述自举电容的一端电极；

其中，作为所述自举电容另一端电极的所述自举电极给栅极驱动供电。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，

所述在所述硅基片上形成绝缘层、自举电极和发射极，之前包括：

对所述硅基片进行刻蚀，形成凹槽；

利用倾斜的离子注入对硅基片进行掺杂形成掺杂区；

所述在所述硅基片上形成绝缘层、自举电极和发射极，包括：

对所述凹槽的内壁进行绝缘化处理，形成所述绝缘层；

将多晶硅填充到所述凹槽内，形成所述自举电极；

刻蚀所述掺杂区形成发射极窗口，往所述发射极窗口内填充导电材料，形成发射极。