[发明专利]一种SOI硅片对准键合的方法

摘要

一种SOI硅片对准键合的方法，属于半导体芯片加工制造领域，本发明提出的SOI硅片对准方法利用光学对准标记进行对准精度的测量，仅仅使用机械对准方式以及适当的补偿调整，即可在SOI硅片键合时将上下两片硅片的X与Y方向的偏移量控制在50μm以下，大大提高了上下两片硅片的对准精度和同心度，与现有技术相比，本发明提出了一种简单、有效的硅片对准方法，可以在机械对准方式下实现高精度硅片键合方法。

主权项

1.一种SOI硅片对准键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n第一步，利用光学对准标记，对参考片进行键合，所述参考片为带有光学对准标记的一对硅片，并记录键合时上工作台的具体位置(X，Y，T)，X表示相对于上工作台初始位置X方向偏移量，Y表示相对于上工作台初始位置Y方向偏移量，T表示相对于上工作台初始位置旋转角度；/n第二步，机械对准方式下键合开始前更改上工作台的参考位置点，即分别将上工作台控制系统设置中X，Y和T值替换为第一步中所记录下来的X，Y和T数值；/n第三步，利用机械对准方式对第一步中所述参考片进行键合，键合完成后，利用光学对准标记进行对准精度的测量，并记录下结果；/n第四步，根据第三步所得到的对准精度结果，重复步骤二对上工作台参考位置点进行补偿；/n第五步，重复第三步检查对准精度，直至对准精度满足键合要求，此后，即可按照此条件进行SOI硅片的键合。/n