[发明专利]一种SOI硅片对准键合的方法有效

专利信息
申请号: 201911053763.1 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN110767589B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 方小磊;陈艳明;李彦庆;叶武阳;张凯;刘佳晶 申请(专利权)人: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/762
代理公司: 长春市吉利专利事务所(普通合伙) 22206 代理人: 李晓莉
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 soi 硅片 对准 方法
【权利要求书】:

1.一种SOI硅片对准键合的方法,其特征在于,包括如下步骤:

第一步,利用光学对准标记,对参考片进行键合,所述参考片为带有光学对准标记的一对硅片,并记录键合时上工作台的具体位置(X,Y,T),X表示相对于上工作台初始位置X方向偏移量,Y表示相对于上工作台初始位置Y方向偏移量,T表示相对于上工作台初始位置旋转角度;

第二步,机械对准方式下键合开始前更改上工作台的参考位置点,即分别将上工作台控制系统设置中X,Y和T值替换为第一步中所记录下来的X,Y和T数值;

第三步,利用机械对准方式对第一步中所述参考片进行键合,键合完成后,利用光学对准标记进行对准精度的测量,并记录下结果;

第四步,根据第三步所得到的对准精度结果,重复步骤二对上工作台参考位置点进行补偿;

第五步,重复第三步检查对准精度,直至对准精度满足键合要求,此后,即可按照此条件进行SOI硅片的键合。

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