[发明专利]一种SOI硅片对准键合的方法有效
| 申请号: | 201911053763.1 | 申请日: | 2019-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN110767589B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
| 发明(设计)人: | 方小磊;陈艳明;李彦庆;叶武阳;张凯;刘佳晶 | 申请(专利权)人: | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/762 |
| 代理公司: | 长春市吉利专利事务所(普通合伙) 22206 | 代理人: | 李晓莉 |
| 地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 soi 硅片 对准 方法 | ||
1.一种SOI硅片对准键合的方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步,利用光学对准标记,对参考片进行键合,所述参考片为带有光学对准标记的一对硅片,并记录键合时上工作台的具体位置(X,Y,T),X表示相对于上工作台初始位置X方向偏移量,Y表示相对于上工作台初始位置Y方向偏移量,T表示相对于上工作台初始位置旋转角度;
第二步,机械对准方式下键合开始前更改上工作台的参考位置点,即分别将上工作台控制系统设置中X,Y和T值替换为第一步中所记录下来的X,Y和T数值;
第三步,利用机械对准方式对第一步中所述参考片进行键合,键合完成后,利用光学对准标记进行对准精度的测量,并记录下结果;
第四步,根据第三步所得到的对准精度结果,重复步骤二对上工作台参考位置点进行补偿;
第五步,重复第三步检查对准精度,直至对准精度满足键合要求,此后,即可按照此条件进行SOI硅片的键合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





