[发明专利]一种SOI硅片对准键合的方法

说明书

一种SOI硅片对准键合的方法，属于半导体芯片加工制造领域，本发明提出的SOI硅片对准方法利用光学对准标记进行对准精度的测量，仅仅使用机械对准方式以及适当的补偿调整，即可在SOI硅片键合时将上下两片硅片的X与Y方向的偏移量控制在50μm以下，大大提高了上下两片硅片的对准精度和同心度，与现有技术相比，本发明提出了一种简单、有效的硅片对准方法，可以在机械对准方式下实现高精度硅片键合方法。

技术领域

本发明涉及一种SOI硅片生产过程中所使用的高精度对准键合方法，属于半导体芯片加工制造领域。

背景技术

大规模集成电路制造中最重要的半导体材料是硅，它充当半导体衬底超过了芯片总量的85％，成为了性价比最高、应用最广泛的衬底材料。然而，随着半导体关键尺寸的逐步缩小，器件内部PN结之间以及器件与器件之间通过衬底的相互作用越来越严重，例如寄生可控硅闩锁效应、隧穿效应、窄沟道效应、表面能级量子化效应等。所以，绝缘衬底上硅(Silicon-On-Insulator，简称SOI)应运而生，并以其独特的材料结构有效的克服了体硅材料的不足。

SOI的一种重要生产方法是硅片键合减薄法，主要工艺过程为将两个硅片通过键合工艺连接在一起，经过热处理之后减薄其中一片硅片至指定厚度。在常规键合工艺中，上下两片硅片表面有相对应的光学对准标记，因此可以采用光学对准方式保证对准及键合精度。但是，硅片键合减薄法所使用的硅片表面没有光学对准标记，只能使用机械方式进行对准，因此，上下两片硅片的对准精度无法保证。即使经过很好的机械手和预对准器调教(robot and pre-aligner teaching)，上下两片硅片也会出现明显的偏移，一般可达0.5mm～1.0mm，对后续的加工过程十分不利。

发明内容

本发明的目的是提出一种简单、有效的硅片对准方法，可以在机械对准方式下实现高精度硅片键合。

本发明为实现上述目的采用的技术方案是：

一种SOI硅片对准键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，利用光学对准标记，对参考片进行键合，所述参考片为带有光学对准标记的一对硅片，并记录键合时上工作台的具体位置(X，Y，T)，X表示相对于上工作台初始位置X方向偏移量，Y表示相对于上工作台初始位置Y方向偏移量，T表示相对于上工作台初始位置旋转角度；

第二步，机械对准方式下键合开始前更改上工作台的参考位置点，即分别将上工作台控制系统设置中X，Y和T值替换为第一步中所记录下来的X，Y和T数值；

第三步，利用机械对准方式对第一步中所述参考片进行键合，键合完成后，利用光学对准标记进行对准精度的测量，并记录下结果；

第四步，根据第三步所得到的对准精度结果，重复步骤二对上工作台参考位置点进行补偿；

第五步，重复第三步检查对准精度，直至对准精度满足键合要求，此后，即可按照此条件进行SOI硅片的键合。

通过上述设计方案，本发明可以带来如下有益效果：本发明提出的SOI硅片对准方法利用光学对准标记进行对准精度的测量，仅仅使用机械对准方式以及适当的补偿调整，即可在SOI硅片键合时将上下两片硅片的X与Y方向的偏移量控制在50μm以下，大大提高了上下两片硅片的对准精度和同心度。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例对本发明做进一步的说明。本领域技术人员应当理解。下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，在不脱离权利要求中所阐述的发明机理和范围的情况下，使用者可以对下列参数进行各种改变。为了避免混淆本发明的实质，公知的方法和过程并没有详细的叙述。

本发明所提出的一种SOI硅片对准键合的方法，包括如下步骤：