[发明专利]半导体封装和制造半导体封装的方法在审
申请号: | 201911051437.7 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN111128938A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | M.丁克尔;P.帕尔姆;赵应山;J.赫格劳尔;R.奥特伦巴;F.施诺伊 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/498;H01L21/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;申屠伟进 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体封装和制造半导体封装的方法。在实施例中,半导体封装包括:封装覆盖区,其包括多个可焊接接触焊盘;半导体器件,其包括在第一表面上的第一功率电极和控制电极以及在第二表面上的第二功率电极;再分布衬底,其包括绝缘板,其中第一功率电极和控制电极安装在绝缘板的第一主表面上并且封装覆盖区的可焊接接触焊盘布置在绝缘板的第二主表面上,以及接触夹,其包括腹板部分和一个或多个外围边缘部分。腹板部分安装在第二功率电极上并电耦合到第二功率电极,并且外围边缘部分安装在绝缘板的第一主表面上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司,未经英飞凌科技奥地利有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911051437.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。