[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201911046940.3 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112216738A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 何嘉政;卢卉庭;王培伦;钟于彰;周君冠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本揭露涉及一种集成芯片。集成芯片包含安置于衬底上方位于源极区与漏极区之间的栅极结构。第一层间介电(ILD)层安置于衬底及栅极结构上方，且第二层间介电层安置于第一层间介电层上方。场板蚀刻终止结构在第一层间介电层与第二层间介电层之间。场板从第二层间介电层的最上表面延伸到场板蚀刻终止结构。多个导电接触件从第二层间介电层的最上表面延伸到源极区和漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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