[发明专利]集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

栅极结构，安置于衬底上方，位于源极区与漏极区之间；

第一层间介电层，安置于所述衬底以及所述栅极结构上方；

第二层间介电层，安置于所述第一层间介电层上方；

场板蚀刻终止结构，位于所述第一层间介电层与所述第二层间介电层之间；

场板，从所述第二层间介电层的最上表面延伸到所述场板蚀刻终止结构；以及

多个导电接触件，从所述第二层间介电层的所述最上表面延伸到所述源极区以及所述漏极区。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

介电层，从所述栅极结构正上方侧向延伸到所述栅极结构与所述漏极区之间；以及

接触蚀刻终止层，安置于所述衬底、所述介电层以及所述栅极结构上方。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述场板的最底表面沿平行于所述衬底的上表面且延伸穿过所述多个导电接触件的侧壁的水平面布置。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述场板蚀刻终止结构具有在所述第一层间介电层的最顶部表面上方的最底表面。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第一层间介电层具有界定侧向在所述栅极结构与所述漏极区之间的空腔的侧壁，所述场板蚀刻终止结构布置在所述空腔内位于所述第一层间介电层的所述侧壁之间。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

蚀刻终止层，安置于所述第二层间介电层上方，其中所述第二层间介电层的最底表面接触所述第一层间介电层，且所述第二层间介电层的所述最上表面接触所述蚀刻终止层。

7.一种集成芯片，包括：

栅极结构，安置于衬底上方，位于源极区与漏极区之间；

介电结构，安置于所述衬底以及所述栅极结构上方；

场板蚀刻终止结构，安置在所述介电结构内；

多个导电接触件，安置在所述介电结构内；以及

场板，安置于所述场板蚀刻终止结构上，其中所述场板具有最底表面，所述最底表面沿平行于所述衬底的上表面且在所述多个导电接触件的顶表面与底表面之间与所述多个导电接触件的侧壁相交的第一水平面布置。

8.根据权利要求7所述的集成芯片，其中所述场板蚀刻终止结构具有最底表面，所述最底表面沿平行于所述第一水平面且在所述多个导电接触件的所述顶表面与底表面之间与所述多个导电接触件的所述侧壁相交的第二水平面布置。

9.根据权利要求7所述的集成芯片，

其中所述介电结构包括多个堆叠层间介电层；以及

其中所述场板以及所述多个导电接触件由所述多个堆叠层间介电层中的第一层间介电层侧向包围且竖直地延伸到所述第一层间介电层的顶部。

10.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底上方在源极区与漏极区之间形成栅极结构；

在所述衬底上方形成接触蚀刻终止层；

在所述接触蚀刻终止层上方形成第一层间介电层；

在形成所述第一层间介电层之后在所述栅极结构与所述漏极区之间形成场板蚀刻终止结构；

在所述场板蚀刻终止结构上方形成第二层间介电层；以及

同时形成延伸穿过所述第一层间介电层和所述第二层间介电层的多个接触件以及穿过所述第二层间介电层延伸到所述场板蚀刻终止结构的场板。