[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911038624.1 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112735949B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡;高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一器件区和第二器件区，第一源漏掺杂层位于所述第一器件区中，第二源漏掺杂层位于所述第二器件区中；在基底上形成盖帽层，盖帽层覆盖第二源漏掺杂层且露出第一源漏掺杂层；在基底上形成覆盖第一源漏掺杂层和盖帽层的层间介质层；刻蚀层间介质层，在层间介质层中形成露出第一源漏掺杂层的第一开口以及露出第二源漏掺杂层上盖帽层的第二开口；在第一开口露出的第一源漏掺杂层中掺杂导电离子。本发明实施例，所述盖帽层起到了掩膜作用，对所述第一源漏掺杂层掺杂导电离子的过程中，盖帽层使得导电离子不易进入所述第二源漏掺杂层中，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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