[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有栅极结构，所述基底包括第一器件区和第二器件区，所述第一器件区的所述栅极结构两侧的所述基底中具有第一源漏掺杂层，所述第二器件区的所述栅极结构两侧的所述基底中具有第二源漏掺杂层；

在所述第二器件区的基底上形成盖帽层，所述盖帽层覆盖所述第二源漏掺杂层且露出所述第一源漏掺杂层；

在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述第一源漏掺杂层和盖帽层；

刻蚀所述第一源漏掺杂层和盖帽层上方的所述层间介质层，在所述层间介质层中形成露出所述第一源漏掺杂层的第一开口以及露出所述第二源漏掺杂层上所述盖帽层的第二开口；

以所述盖帽层为掩模，在所述第一开口露出的所述第一源漏掺杂层中掺杂导电离子。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述栅极结构为伪栅结构；

形成所述层间介质层的步骤中，所述层间介质层覆盖所述栅极结构的侧壁，且暴露出所述栅极结构的顶面；

在形成所述层间介质层后，且在刻蚀所述第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层上方的层间介质层之前，还包括：去除所述栅极结构，在所述层间介质层中形成栅极开口；在所述栅极开口中形成器件栅极结构。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖帽层的形成步骤包括：在所述基底的第一器件区和第二器件区上保形覆盖盖帽材料层；

去除所述第一器件区的所述盖帽材料层，位于所述第二器件区的剩余的所述盖帽材料层作为盖帽层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺形成所述盖帽材料层。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述第一器件区的所述盖帽材料层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中采用的刻蚀溶液为磷酸溶液。

7.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖帽层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种。

8.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖帽层的厚度为4纳米至20纳米。

9.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入的方式在所述第一开口露出的所述第一源漏掺杂层中掺杂导电离子。

10.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开口露出的所述第一源漏掺杂层中掺杂导电离子之后，还包括：刻蚀所述第二开口露出的所述盖帽层，在所述盖帽层中形成露出所述第二源漏掺杂层的第三开口。

11.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的鳍部；

所述栅极结构横跨所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；

第一器件区中，所述第一源漏掺杂层形成在所述栅极结构两侧的所述鳍部中；第二器件区中，所述第二源漏掺杂层形成在所述栅极结构两侧的所述鳍部中。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一器件区为PMOS器件区，所述第二器件区为NMOS器件区；

在所述第一开口露出的所述第一源漏掺杂层中掺杂导电离子的步骤中，所述导电离子为P型离子。