[发明专利]他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201911036881.1 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110615789B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 安好义;安志远;郑敏;李坤;尹长刚 | 申请（专利权）人： | 四川依科制药有限公司 |
| 主分类号： | C07D471/14 | 分类号： | C07D471/14 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 张小丽 |
| 地址： | 618300 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于医药技术领域，具体涉及他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法。本发明所要解决的技术问题在于提供一种溶剂可回收，污染小的他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法。该方法为：a、结晶无水他达拉非V型晶体用水或C1‑C4醇中的至少一种为溶剂搅拌；b、加入无机碱搅拌得浆液；c、将浆液过滤后加水打浆，再次过滤，洗涤得他达拉非I型晶体湿品；d、干燥得他达拉非I型晶体。本发明方法溶剂用量少，易回收，生产成本低，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 达拉非 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.他达拉非I型晶体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：/na、结晶无水他达拉非V型晶体用水或C1-C4醇中的至少一种为溶剂搅拌；/nb、加入无机碱搅拌得浆液；/nc、将浆液过滤后加水打浆，再次过滤，洗涤得他达拉非I型晶体湿品；/nd、干燥得他达拉非I型晶体。/n
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