[发明专利]中介层的制造方法有效
| 申请号： | 201911024817.1 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111128751B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 贠明辉;杨道国;段易;蔡苗;张国旗 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 汪海屏;王淑梅 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种中介层的制造方法，包括：在载板上设置粘接层；在粘接层上设置第一支撑层；在第一支撑层上设置至少一层重布层；在至少一层重布层上设置第二支撑层；其中，第一支撑层、至少一层重布层和第二支撑层中至少一层通过模压固化成型。本发明所提供的中介层的制造方法，第一支撑层、重布层和/或第二支撑层通过模压固化成型，模压固化成型可在导电柱或导电线安装完成后进行，也可通过模压固化出安装孔位，无需在晶圆基板上钻孔，避免因钻孔加工损坏中介层的结构，避免在中介层上产生裂痕，进而避免在后续制程中会因加压或加热而促使裂纹扩展，提升中介层的制造合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
