[发明专利]中介层的制造方法有效
| 申请号: | 201911024817.1 | 申请日: | 2019-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN111128751B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
| 发明(设计)人: | 贠明辉;杨道国;段易;蔡苗;张国旗 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 汪海屏;王淑梅 |
| 地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 中介 制造 方法 | ||
本发明提供了一种中介层的制造方法,包括:在载板上设置粘接层;在粘接层上设置第一支撑层;在第一支撑层上设置至少一层重布层;在至少一层重布层上设置第二支撑层;其中,第一支撑层、至少一层重布层和第二支撑层中至少一层通过模压固化成型。本发明所提供的中介层的制造方法,第一支撑层、重布层和/或第二支撑层通过模压固化成型,模压固化成型可在导电柱或导电线安装完成后进行,也可通过模压固化出安装孔位,无需在晶圆基板上钻孔,避免因钻孔加工损坏中介层的结构,避免在中介层上产生裂痕,进而避免在后续制程中会因加压或加热而促使裂纹扩展,提升中介层的制造合格率。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种中介层的制造方法。
背景技术
目前,随着电子产业飞速发展,电子器件在结构上趋于轻薄,在功能上趋于高功能、高速度化,其安装在有限衬底面积上的半导体封装也逐渐变小变薄。
为进一步缩小半导体装置尺寸,带有垂直互连通孔和高密度金属布线的中介层应运而生。
中介层结构插置于半导体芯片与封装基板之间,若干个半导体芯片并排排列在中介层上,通过中介层内通孔结构、重分布层、微凸点等,实现芯片与芯片、芯片与封装基板间更高密度的互连。
在相关技术中,中介层制造方法的关键制程以TSV(Through Silicon Via,硅穿孔)为代表,需要在晶圆基板(晶圆、玻璃、有机材料)上钻孔,之后填入导电材料后形成所需导电通道。为缩短封装后半导体尺寸,行业对中介层厚度要求越薄越好,但由于中介层厚度较薄,所以钻孔加工会不可避免地造成中介层的结构破坏,产生裂痕,在后续制程中会因加压或加热而促使裂纹扩展,产生破裂,降低产品合格率。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此,本发明提出一种中介层的制造方法。
有鉴于此,本发明的提供了一种中介层的制造方法,包括:在载板上设置粘接层;在粘接层上设置第一支撑层;在第一支撑层上设置至少一层重布层;在至少一层重布层上设置第二支撑层;其中,第一支撑层、至少一层重布层和第二支撑层中至少一层通过模压固化成型。
本发明所提供的中介层的制造方法,在载板上设置粘接层,然后在粘接层上依次设置第一支撑层、重布层和第二支撑层,第一支撑层、重布层和第二支撑层中,至少有一层是通过模压固化成型。第一支撑层、重布层和/或第二支撑层通过模压固化成型,模压固化成型可在导电柱或导电线安装完成后进行,也可通过模压固化出安装孔位,无需在晶圆基板上钻孔,避免因钻孔加工损坏中介层的结构,避免在中介层上产生裂痕,进而避免在后续制程中会因加压或加热而促使裂纹扩展,提升中介层的制造合格率。并且第一支撑层、重布层和/或第二支撑层通过模压固化成型是所采用的塑封料,与后续半导体封装工艺所采用的封装材料的热膨胀系数一致或接近,减少因热变形不同而导致的塑封制程的翘曲问题,使中介层更好的契合封装需求。
第一支撑层可通过模压固化成型,重布层也可通过模压固化成型,第二支撑层同样可通过模压固化成型。
重布层可根据中介层的厚度,或半导体的要求来确定层数。
通过该中介层的制造方法制造的中介层可用于半导体中。
载板选用传热性较好的刚性材料或透光性好的玻璃材料,如:金属、钢、硅、玻璃和合金。
另外,本发明提供的上述技术方案中的中介层的制造方法还可以具有如下附加技术特征:
在本发明的一个技术方案中,第一支撑层、至少一层重布和第二支撑层中至少一层通过模压固化成型包括:设置光刻层;蚀刻光刻层,以在光刻层上形成多个安装孔位;在多个安装孔位中的每个安装孔位内设置导电体;去除光刻层;在多个导电体之间的间隙内填充塑封料;模压固化塑封料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





