[发明专利]中介层的制造方法有效
| 申请号: | 201911024817.1 | 申请日: | 2019-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN111128751B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
| 发明(设计)人: | 贠明辉;杨道国;段易;蔡苗;张国旗 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 汪海屏;王淑梅 |
| 地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 中介 制造 方法 | ||
1.一种中介层的制造方法,其特征在于,包括:
在载板上设置粘接层;
在粘接层上设置第一支撑层;
在所述第一支撑层上设置至少一层重布层;
在所述至少一层重布层上设置第二支撑层;
其中,所述第一支撑层、所述至少一层重布层和所述第二支撑层中至少一层通过模压固化成型;
其中,在所述粘接层上设置所述第一支撑层包括:
在所述粘接层上设置第一光刻层;
蚀刻所述第一光刻层,以在所述第一光刻层上形成多个第一安装孔位;
在所述多个第一安装孔位中的每个第一安装孔位内设置第一导电柱;
去除所述第一光刻层;
在多个所述第一导电柱之间的间隙内填充塑封料;
模压固化塑封料,以形成所述第一支撑层。
2.根据权利要求1所述的中介层的制造方法,其特征在于,所述第一支撑层、所述至少一层重布层和所述第二支撑层中至少一层通过模压固化成型包括:
设置光刻层;
蚀刻所述光刻层,以在所述光刻层上形成多个安装孔位;
在所述多个安装孔位中的每个安装孔位内设置导电体;
去除所述光刻层;
在多个导电体之间的间隙内填充塑封料;
模压固化所述塑封料。
3.根据权利要求2所述的中介层的制造方法,其特征在于,在多个导电体之间的间隙内填充塑封料之前,所述第一支撑层、所述至少一层重布层和所述第二支撑层中至少一层通过模压固化成型还包括:
在所述导电体的端部表面设置辅助膜。
4.根据权利要求2所述的中介层的制造方法,其特征在于,在所述多个安装孔位中的每个安装孔位内设置导电体包括:
在所述多个安装孔位中的每个安装孔位内粘贴、沉积、电镀、化学镀、溅射、印刷或打印导电体。
5.根据权利要求1所述的中介层的制造方法,其特征在于,在所述第一支撑层上设置至少一层重布层包括:
在所述第一支撑层上设置第二光刻层;
蚀刻所述第二光刻层,以在所述第二光刻层上形成多个第二安装孔位和至少一个第三安装孔位;
在所述多个第二安装孔位中的每个第二安装孔位内设置第二导电柱;
在所述至少一个第三安装孔位内设置第一导线;
在所述第一导线上设置第三光刻层;
蚀刻所述第三光刻层,在所述第三光刻层上形成多个第四安装孔位;
在所述多个第四安装孔位内设置第二导线;
去除所述第二光刻层和所述第三光刻层;
在所述第二导电柱、所述第一导线和所述第二导线之间的间隙内填充塑封料;
模压固化塑封料,以形成第一重布层;
其中,所述第二导电柱与所述第一导电柱相对设置。
6.根据权利要求5所述的中介层的制造方法,其特征在于,在所述第一支撑层上设置至少一层重布层还包括:
在所述第一重布层上设置第四光刻层;
蚀刻所述第四光刻层,以在所述第四光刻层上形成多个第五安装孔位;
在所述多个第五安装孔位中的每个第五安装孔位内设置第三导线;
在所述第三导线上设置第五光刻层;
蚀刻所述第五光刻层,在所述第五光刻层上形成多个第七安装孔位;
在所述第七安装孔位内设置第三导电柱;
去除所述第四光刻层和所述第五光刻层;
在所述第三导电柱和所述第三导线之间的间隙内填充塑封料;
模压固化塑封料,以形成第二重布层。
7.根据权利要求6所述的中介层的制造方法,其特征在于,在所述至少一层重布层上设置第二支撑层包括:
在所述至少一层重布层上设置第六光刻层;
蚀刻所述第六光刻层,以在所述第六光刻层上形成多个第八安装孔位;
在所述多个第八安装孔位中的每个第八安装孔位内设置第四导电柱;
去除所述第六光刻层;
在多个所述第四导电柱之间的间隙内填充塑封料;
模压固化塑封料,以形成所述第二支撑层;
其中,所述第四导电柱和所述第三导电柱相对设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





