[发明专利]产生集成电路布局图的方法在审
| 申请号： | 201911016254.1 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111128997A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;曾健庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种产生集成电路布局图的方法，包括在第一列中布置具有第一单元高度的第一单元及在邻接第一列的第二列中布置具有高度小于第一单元高度的第二单元高度的第二单元。第一列及第二列沿第一方向延伸及相对于布线网格布置，布线网格包括沿第一方向的第一布线轨迹及沿垂直于第一方向的第二方向的第二布线轨迹。在沿第二布线轨迹延伸的每个第一单元内放置第一单元引脚。在每个第二单元中的选定通孔布局点上方放置第二单元引脚。至少一个第二单元引脚沿相应第二布线轨迹延伸跨过相应第二单元的边界且延伸至邻接相应第二单元的相应第一单元中。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 集成电路 布局 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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