[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板

摘要

本发明提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，所述制造方法包括：在衬底基板上沉积栅极金属层，并通过第一次光刻，以形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、金属铝层和金属铜层，进行第二次光刻，以在金属氧化物半导体层形成有源岛的同时，使金属铝层和金属铜层形成源极和漏极，再对源极和漏极之间的沟道区域进行氧化处理，使沟道区域内的铝转化为氧化铝；沉积金属氧化物保护层，并进行第三次光刻，以在金属氧化物保护层上形成导电过孔；沉积透明导电层，并进行第四次光刻，以形成像素电极，并连通像素电极和导电过孔。本发明提供一种阵列基板及其制造方法，仅需四道光罩制程顺序即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积栅极金属层，并通过第一次光刻，以使所述栅极金属层形成栅极；/n依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、金属铝层和金属铜层，进行第二次光刻，以在所述金属氧化物半导体层形成有源岛的同时，使所述金属铝层和金属铜层形成源极和漏极，再对所述源极和漏极之间的沟道区域进行氧化处理，使所述沟道区域内的金属铝转化为氧化铝；/n沉积金属氧化物保护层，并进行第三次光刻，以在位于所述漏极上方的所述金属氧化物保护层上形成导电过孔；/n沉积透明导电层，并进行第四次光刻，以使所述透明导电层形成像素电极，并通过所述导电过孔连通所述像素电极和所述漏极。/n