[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上沉积栅极金属层，并通过第一次光刻，以使所述栅极金属层形成栅极；

依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、金属铝层和金属铜层，进行第二次光刻，以在所述金属氧化物半导体层形成有源岛的同时，使所述金属铝层和金属铜层形成源极和漏极，再对所述源极和漏极之间的沟道区域进行氧化处理，使所述沟道区域内的金属铝转化为氧化铝；

沉积金属氧化物保护层，并进行第三次光刻，以在位于所述漏极上方的所述金属氧化物保护层上形成导电过孔；

沉积透明导电层，并进行第四次光刻，以使所述透明导电层形成像素电极，并通过所述导电过孔连通所述像素电极和所述漏极。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述进行第二次光刻具体包括：

通过掩模版曝光和显影液显影后，形成不透光区域、部分透光区域和完全曝光区域；其中，所述不透光区域对应于所述源极和所述漏极，所述部分透光区域对应于所述沟道区域，所述完全曝光区域对应于所述不透光区域和所述部分透光区域之外的区域；

刻蚀掉所述完全曝光区域对应的所述金属铝层、所述金属铜层和所述金属氧化物半导体层；

去除所述部分透光区域的光刻胶，刻蚀掉所述部分透光区域对应的所述金属铜层和部分厚度的所述金属铝层；

保留所述不透光区域对应的所述金属铜层和金属铝层，以形成所述源极、所述漏极。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第二次光刻通过半色调掩膜版工艺或者一次灰色调掩膜版工艺进行。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属铜层的厚度为所述金属铝层的厚度的40-60倍。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述金属铝层的厚度为所述金属铜层的厚度为

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅极金属层、所述金属氧化物半导体层、所述金属铝层、所述金属铜层、所述透明导电薄膜均通过溅射或热蒸发的工艺沉积形成。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层、所述金属氧化物保护层均通过等离子体增强化学气相沉积的工艺沉积形成。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧化处理具体包括：在干法刻蚀设备中氧等离子体中对所述沟道区域内的金属铝进行氧化处理。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层包括铟镓锌氧化物IGZO。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板通过权利要求1-9任一项所述的阵列基板的制造方法制造而成，所述阵列基板包括：衬底基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极和漏极；

所述栅极位于所述衬底基板的上方，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极和所述衬底基板的上方，所述金属氧化物半导体层覆盖部分所述栅极绝缘层且位于所述栅极的上方，所述源极和漏极均设置在所述金属氧化物半导体层的上方，且所述源极和漏极之间具有沟道区域；

其中，所述源极和漏极均包括金属铝层和覆盖在所述金属铝层上方的金属铜层,所述沟道区域内覆盖一层氧化铝，所述氧化铝覆盖在所述金属氧化物半导体层的上方。