[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，所述制造方法包括：在衬底基板上沉积栅极金属层，并通过第一次光刻，以形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、金属铝层和金属铜层，进行第二次光刻，以在金属氧化物半导体层形成有源岛的同时，使金属铝层和金属铜层形成源极和漏极，再对源极和漏极之间的沟道区域进行氧化处理，使沟道区域内的铝转化为氧化铝；沉积金属氧化物保护层，并进行第三次光刻，以在金属氧化物保护层上形成导电过孔；沉积透明导电层，并进行第四次光刻，以形成像素电极，并连通像素电极和导电过孔。本发明提供一种阵列基板及其制造方法，仅需四道光罩制程顺序即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法及阵列基板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高清画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。

现有技术提供的阵列基板的制造方法一般采用六枚光罩制程顺序，包括：第一步：在玻璃基板上沉积金属层，进行第一次光刻，形成栅极；第二步，依次沉积栅极绝缘层和铟镓锌氧化物IGZO半导体层，进行第二次光刻，以形成有源岛图形；第三步，沉积刻蚀阻挡层，并进行第三次光刻；第四步，沉积源漏金属层，并进行第四次光刻，以形成源极和漏极；第五步，沉积钝化层和平坦化层，并进行第五次光刻，以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻，以形成像素电极以及导电过孔和像素电极的连通图形。

上述现有技术提供的六枚光罩制程工艺，工艺复杂，制作成本高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，仅需四道光罩制程顺序即可实现阵列基板的制作，工艺简单，制作成本低。

本发明一方面提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上沉积栅极金属层，并通过第一次光刻，以使所述栅极金属层形成栅极；

依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、金属铝层和金属铜层，进行第二次光刻，以在所述金属氧化物半导体层形成有源岛的同时，使所述金属铝层和金属铜层形成源极和漏极，再对所述源极和漏极之间的沟道区域进行氧化处理，使所述沟道区域内的金属铝转化为氧化铝；

沉积金属氧化物保护层，并进行第三次光刻，以在位于所述漏极上方的所述金属氧化物保护层上形成导电过孔；

沉积透明导电层，并进行第四次光刻，以使所述透明导电层形成像素电极，并通过所述导电过孔连通所述像素电极和所述漏极。

如上所述的制造方法，所述进行第二次光刻具体包括：

通过掩模版曝光显影，形成不透光区域、部分透光区域和完全曝光区域；其中，所述不透光区域对应于所述源极和所述漏极，所述部分透光区域对应于所述沟道区域，所述完全曝光区域对应于所述不透光区域和所述部分透光区域之外的区域；

刻蚀掉所述完全曝光区域的所述金属铝层、所述金属铜层和所述金属氧化物半导体层；

去除所述部分透光区域的光刻胶，刻蚀掉所述部分透光区域的所述金属铜层和部分厚度的所述金属铝层；

保留所述不透光区域对应的所述金属铜层和金属铝层，以形成所述源极、所述漏极。

如上所述的制造方法，所述第二次光刻通过半色调掩膜版工艺或者一次灰色调掩膜版工艺进行。