[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板在审
| 申请号： | 201911013090.7 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110610949A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 熊俊杰;刘芳 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，所述制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属膜，通过第一次光刻工艺，使栅金属膜形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层，通过第二次光刻工艺，使金属氧化物半导体层分别形成位于阵列开关区的有源层和位于像素区的像素电极，并在像素电极上方的刻蚀阻挡层上形成导电过孔；沉积源漏金属膜，通过第三次光刻工艺，使源漏金属膜形成源极和漏极，并使漏极通过导电过孔与像素电极连通；沉积钝化层，通过第四次光刻工艺，形成钝化层图形。本发明提供的阵列基板的制作方法及阵列基板，只需四次光刻工艺，制作工艺简单，可以提升生产效率，有着很高的使用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 次光 阵列基板 像素电极 金属氧化物半导体层 金属膜形成 刻蚀阻挡层 导电过孔 金属膜 漏极 制作 沉积栅极绝缘层 沉积钝化层 钝化层图形 衬底基板 生产效率 阵列开关 制作工艺 沉积源 像素区 沉积 源层 源极 源漏 连通 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积栅金属膜，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属膜形成栅极；/n依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层，通过第二次光刻工艺，使所述金属氧化物半导体层分别形成位于阵列开关区的有源层和位于像素区的像素电极，并在所述像素电极上方的所述刻蚀阻挡层上形成导电过孔；/n沉积源漏金属膜，通过第三次光刻工艺，使所述源漏金属膜形成源极和漏极，并使所述漏极通过所述导电过孔与所述像素电极连通；/n沉积钝化层，通过第四次光刻工艺，形成钝化层图形。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
