[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，所述制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属膜，通过第一次光刻工艺，使栅金属膜形成栅极；依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层，通过第二次光刻工艺，使金属氧化物半导体层分别形成位于阵列开关区的有源层和位于像素区的像素电极，并在像素电极上方的刻蚀阻挡层上形成导电过孔；沉积源漏金属膜，通过第三次光刻工艺，使源漏金属膜形成源极和漏极，并使漏极通过导电过孔与像素电极连通；沉积钝化层，通过第四次光刻工艺，形成钝化层图形。本发明提供的阵列基板的制作方法及阵列基板，只需四次光刻工艺，制作工艺简单，可以提升生产效率，有着很高的使用价值。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

现有技术中制作金属氧化物TFT一般采用六次光刻工艺，主要是因为在刻蚀源漏金属电极时会腐蚀掉金属半导体层，因此一般在金属半导体层上面增加一次刻蚀阻挡层，保护金属半导体层不被源漏金属的刻蚀液腐蚀，因此一般采用六次光刻工艺。

现有技术中的六次光刻工艺制作方法，工艺复杂，生产效率低，制作成本高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，仅需进行四次光刻工艺即可完成阵列基板的制作，减少了两次光刻工艺，制作工艺简单，可以提升生产效率，有着很高的使用价值。

本发明一方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上沉积栅金属膜，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属膜形成栅极；

依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层，通过第二次光刻工艺，使所述金属氧化物半导体层分别形成位于阵列开关区的有源层和位于像素区的像素电极，并在所述像素电极上方的所述刻蚀阻挡层上形成导电过孔；

沉积源漏金属膜，通过第三次光刻工艺，使所述源漏金属膜形成源极和漏极，并使所述漏极通过所述导电过孔与所述像素电极连通；

沉积钝化层，通过第四次光刻工艺，形成钝化层图形。

如上所述的制作方法，所述第二次光刻工艺具体包括：

通过掩模版曝光显影，形成不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，所述完全透光区域对应于所述阵列开关区和所述像素区之间的分离区以及相邻两个所述像素区之间的分离区，所述部分透光区域对应于源极接触区、漏极接触区和导电过孔，不透光区域对应于除所述完全透光区域和所述不透光区域以外的区域；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全透光区域的所述刻蚀阻挡层和所述金属氧化物半导体层，以形成所述阵列开关区和所述像素区之间的分离区、相邻两个所述像素区之间的分离区；

去除所述部分透光区域的光刻胶，进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分透光区域的所述刻蚀阻挡层，以形成所述源极接触区、所述漏极接触区和所述导电过孔；

去除所述不透光区域的光刻胶，以形成具有所述像素电极和所述刻蚀阻挡层的像素区图形。

如上所述的制作方法，所述第二次光刻工艺包括半色调掩膜版工艺或者一次灰色调掩模版工艺。

如上所述的制作方法，所述第三次光刻工艺具体包括：

通过掩模版曝光显影，形成不曝光区域和完全曝光区域，所述不曝光区域对应于所述源极和所述漏极，所述完全曝光区域对应于除所述不曝光区域以外的区域；

刻蚀掉所述完全曝光区域内的所述源漏金属膜，以形成所述源极和所述漏极之间的沟道区；