[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上沉积栅金属膜，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属膜形成栅极；

依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层，通过第二次光刻工艺，使所述金属氧化物半导体层分别形成位于阵列开关区的有源层和位于像素区的像素电极，并在所述像素电极上方的所述刻蚀阻挡层上形成导电过孔；

沉积源漏金属膜，通过第三次光刻工艺，使所述源漏金属膜形成源极和漏极，并使所述漏极通过所述导电过孔与所述像素电极连通；

沉积钝化层，通过第四次光刻工艺，形成钝化层图形。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二次光刻工艺具体包括：

通过掩模版曝光显影，形成不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，所述完全透光区域对应于所述阵列开关区和所述像素区之间的分离区以及相邻两个所述像素区之间的分离区，所述部分透光区域对应于源极接触区、漏极接触区和导电过孔，不透光区域对应于除所述完全透光区域和所述不透光区域以外的区域；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全透光区域的所述刻蚀阻挡层和所述金属氧化物半导体层，以形成所述阵列开关区和所述像素区之间的分离区、相邻两个所述像素区之间的分离区；

去除所述部分透光区域的光刻胶，进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分透光区域的所述刻蚀阻挡层，以形成所述源极接触区、所述漏极接触区和所述导电过孔；

去除所述不透光区域的光刻胶，以形成具有所述像素电极和所述刻蚀阻挡层的像素区图形。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二次光刻工艺包括半色调掩膜版工艺或者一次灰色调掩模版工艺。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第三次光刻工艺具体包括：

通过掩模版曝光显影，形成不曝光区域和完全曝光区域，所述不曝光区域对应于所述源极和所述漏极，所述完全曝光区域对应于除所述不曝光区域以外的区域；

刻蚀掉所述完全曝光区域内的所述源漏金属膜，以形成所述源极和所述漏极之间的沟道区；

去除所述不曝光区域内的光刻胶，以在所述源极接触区和漏极接触区上分别形成所述源极、所述漏极，并形成所述漏极和所述导电过孔的连通图形。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层包括非晶铟镓锌氧化物a-IGZO。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括氧化物、氮化物和氮氧化合物中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度为

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅金属膜和源漏金属膜均通过溅射或热蒸发的方法沉积形成。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板通过权利要求1-9任一项所述的制作方法制作而成，所述阵列基板包括：衬底基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、像素电极、刻蚀阻挡层、源极和漏极；

所述栅极覆盖在所述衬底基板上，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极和所述衬底基板上，所述有源层和所述像素电极均覆盖在所述栅极绝缘层上，所述有源层和所述像素电极断开设置，所述有源层位于所述栅极的上方；所述有源层和所述像素电极由金属氧化物半导体层在同一次光刻工艺中形成；

所述源极和所述漏极均覆盖在所述有源层上，所述源极和所述漏极之间具有沟道区，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述像素电极上以及位于所述沟道区内的所述有源层上；

覆盖在所述像素电极上的刻蚀阻挡层上具有导电过孔，所述漏极通过所述导电过孔与所述像素电极连通。