[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911009857.9 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110676257B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘思敏;杨川;严龙翔 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：衬底；栅叠层结构，位于所述衬底上方，包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；多个沟道柱和多个通道孔，贯穿所述栅叠层结构；掺杂区，位于所述通道孔底部且形成于所述衬底内；第一导电层，覆盖所述通道孔的内壁并与所述掺杂区接触；以及芯部，位于所述通道孔内以及所述掺杂区的上方，所述芯部的侧壁与所述第一导电层接触，其中，所述芯部包括第一芯部和位于所述第一芯部上方的第二芯部，所述第一芯部的材料包括二氧化硅，所述第二芯部的材料包括多晶硅。第一芯部产生的应力小，以稳固栅叠层结构的基部，从而减小栅叠层结构受到的应力，解决栅线缝隙的顶部开口的尺寸变化问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件，包括：/n衬底；/n栅叠层结构，位于所述衬底上方，包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；/n多个沟道柱和多个通道孔，贯穿所述栅叠层结构；/n掺杂区，位于所述通道孔底部且形成于所述衬底内；/n第一导电层，覆盖所述通道孔的内壁并与所述掺杂区接触；以及/n芯部，位于所述通道孔内以及所述掺杂区的上方，所述芯部的侧壁与所述第一导电层接触，/n其中，所述芯部包括第一芯部和位于所述第一芯部上方的第二芯部，所述第一芯部的材料包括二氧化硅，所述第二芯部的材料包括多晶硅。/n
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