[发明专利]一种工艺盘找正方法、工艺盘找正装置和半导体加工设备有效
| 申请号： | 201910994363.4 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110592560B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 冯旭初;高建强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种工艺盘找正方法，包括：S1，控制所述工艺盘以第一预设转速旋转；S2，在检测到所述工艺盘上的定位结构时，控制所述工艺盘减速直至停止，并再次控制所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转，且旋转速度小于上一次的旋转速度；S3，循环执行步骤S2；S4，在工艺盘的旋转速度下降到小于等于第二预设转速且再次检测到定位结构时，控制所述工艺盘立即停止。在本发明中，工艺盘进行速度逐渐降低的往复旋转运动，使得工艺盘在停止时旋转速度足够低，能够减小工艺盘急停时因惯性继续旋转的角度，从而提高工艺盘的找正精度，还能够减小工艺盘与运动连接件之间的磨损，避免找正精度下降。本发明还提供一种工艺盘找正装置和半导体加工设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工艺 盘找正 方法 装置 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种工艺盘找正方法，其特征在于，包括：/nS1，控制所述工艺盘以第一预设转速沿第一方向旋转；/nS2，在检测到所述工艺盘上的定位结构时，控制所述工艺盘减速，直至停止旋转，并再次控制所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转，且旋转速度小于上一次的旋转速度；/nS3，循环执行步骤S2；/nS4，在所述工艺盘的旋转速度下降到小于等于第二预设转速且再次检测到所述定位结构时，控制所述工艺盘立即停止。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
