[发明专利]一种工艺盘找正方法、工艺盘找正装置和半导体加工设备有效
申请号: | 201910994363.4 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN110592560B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 冯旭初;高建强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工艺 盘找正 方法 装置 半导体 加工 设备 | ||
本发明提供一种工艺盘找正方法,包括:S1,控制所述工艺盘以第一预设转速旋转;S2,在检测到所述工艺盘上的定位结构时,控制所述工艺盘减速直至停止,并再次控制所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转,且旋转速度小于上一次的旋转速度;S3,循环执行步骤S2;S4,在工艺盘的旋转速度下降到小于等于第二预设转速且再次检测到定位结构时,控制所述工艺盘立即停止。在本发明中,工艺盘进行速度逐渐降低的往复旋转运动,使得工艺盘在停止时旋转速度足够低,能够减小工艺盘急停时因惯性继续旋转的角度,从而提高工艺盘的找正精度,还能够减小工艺盘与运动连接件之间的磨损,避免找正精度下降。本发明还提供一种工艺盘找正装置和半导体加工设备。
技术领域
本发明涉及微电子加工技术领域,具体地,涉及一种工艺盘找正方法,一种用于实现该方法的工艺盘找正装置,以及一种包括该工艺盘找正装置的半导体加工设备。
背景技术
用于进行化学气相沉积(CVD,chemical vapor deposition)工艺的设备,如化学气相沉积(APCVD,atmospheric-pressure chemical vapor deposition)设备等通常包括反应腔和设置在反应腔中的用于承载待加工基片的工艺盘,该工艺盘能够在旋转电机的驱动下围绕工艺盘所述工艺盘的旋转中心转动,以便于逐个将多个基片放置在工艺盘上的不同放置位置。
目前,在放置基片前通常需要先对基片的放置位置进行找正,该找正过程通常由设置在工艺盘上方的感应装置与工艺盘上设置的定位结构(如凸起、缺口或特殊颜色的图形等)配合完成,具体包括:控制旋转电机驱动工艺盘沿某一方向开始旋转,当感应装置检测到上述定位结构经过其检测位置时,即可判断已找正放置位置,随即控制旋转电机急停。
然而,该基片放置位置找正方法在应用过程中通常会出现找正精度逐渐下降的现象,使得基片无法精确地被放入所述放置位置。
发明内容
本发明旨在提供一种工艺盘找正方法、工艺盘找正装置和半导体加工设备,能够提高工艺盘的找正精度和找正效率。
作为本发明的第一个方面,提供一种工艺盘找正方法,包括:
S1,控制所述工艺盘以第一预设转速沿第一方向旋转;
S2,在检测到所述工艺盘上的定位结构时,控制所述工艺盘减速,直至停止旋转,并再次控制所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转,且旋转速度小于上一次的旋转速度;
S3,循环执行步骤S2;
S4,在所述工艺盘的旋转速度下降到小于等于第二预设转速且再次检测到所述定位结构时,控制所述工艺盘立即停止。
优选地,所述控制所述工艺盘立即停止,包括:
控制所述工艺盘以最大制动角加速度进行减速直至停止。
优选地,步骤S2还包括:
在所述工艺盘旋转超过第一预设角度且还未检测到所述定位结构时,控制所述工艺盘减速,直至停止旋转,并再次控制所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转,且旋转速度小于上一次的旋转速度。
优选地,所述第一预设角度为360°。
优选地,在步骤S1之前,还包括:
S0,在所述工艺盘未开始旋转即可检测到所述定位结构时,控制所述工艺盘沿与所述第一方向相反的第二方向旋转第二预设角度。
作为本发明的第二个方面,提供一种工艺盘找正装置,包括:控制器、传感器、驱动器,其中,
所述驱动器用于驱动工艺盘旋转,还用于使所述工艺盘停止旋转;
所述传感器用于检测所述工艺盘上的定位结构;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的