[发明专利]一种工艺盘找正方法、工艺盘找正装置和半导体加工设备有效
申请号: | 201910994363.4 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN110592560B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 冯旭初;高建强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工艺 盘找正 方法 装置 半导体 加工 设备 | ||
1.一种工艺盘找正方法,用于进行化学气相沉积工艺的设备,其特征在于,包括:
S1,控制所述工艺盘以第一预设转速沿第一方向旋转;
S2,在检测到所述工艺盘上的定位结构时,控制所述工艺盘减速,直至停止旋转,并再次控制所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转,且旋转速度小于上一次的旋转速度;
S3,循环执行步骤S2;
S4,在所述工艺盘的旋转速度下降到小于等于第二预设转速且再次检测到所述定位结构时,控制所述工艺盘立即停止;
所述步骤S2还包括:
在所述工艺盘旋转超过第一预设角度且还未检测到所述定位结构时,控制所述工艺盘减速,直至停止旋转,并再次控制所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转,且旋转速度小于上一次的旋转速度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制所述工艺盘立即停止,包括:
控制所述工艺盘以最大制动角加速度进行减速直至停止。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一预设角度为360°。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法,其特征在于,在步骤S1之前,还包括:
S0,在所述工艺盘未开始旋转即可检测到所述定位结构时,控制所述工艺盘沿与所述第一方向相反的第二方向旋转第二预设角度。
5.一种工艺盘找正装置,用于进行化学气相沉积工艺的设备,其特征在于,包括:控制器、传感器、驱动器,其中,
所述驱动器用于驱动工艺盘旋转,还用于使所述工艺盘停止旋转;
所述传感器用于检测所述工艺盘上的定位结构;
所述控制器与所述驱动器、所述传感器连接,用于控制所述驱动器驱动所述工艺盘以第一预设转速沿第一方向旋转;
所述控制器还用于循环地在所述传感器检测到所述工艺盘上的定位结构时,控制所述驱动器使所述工艺盘减速,直至停止旋转,并再次控制所述驱动器驱动所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转,且旋转速度小于上一次的旋转速度;
所述控制器还用于在所述工艺盘的旋转速度下降到小于等于第二预设转速且所述传感器再次检测到所述定位结构时,控制所述驱动器使所述工艺盘立即停止;
所述控制器还用于循环地在所述工艺盘旋转超过预定角度且所述传感器还未检测到所述定位结构时,控制所述驱动器使所述工艺盘减速,直至停止旋转,并再次控制所述驱动器驱动所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转,且旋转速度小于上一次的旋转速度。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述控制器还用于在所述工艺盘的旋转速度下降到小于等于第二预设转速且所述传感器再次检测到所述定位结构时,控制所述驱动器使所述工艺盘以最大制动角加速度进行减速直至停止。
7.根据权利要求5或6所述的装置,其特征在于,所述控制器还用于在所述工艺盘未开始旋转所述传感器即可检测到所述定位结构时,控制所述驱动器驱动所述工艺盘沿与所述第一方向相反的第二方向旋转第二预设角度。
8.一种半导体加工设备,包括工艺腔和设置在所述工艺腔内的工艺盘,所述工艺盘能够旋转,且所述工艺盘上设置有定位结构,其特征在于,还包括如权利要求5至7中任意一项所述的工艺盘找正装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的