[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910977736.7 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111223858A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 児岛正和;南允邰 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L29/417;H03F3/195 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 钱海洋;刘雪珂 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包括基板、设置在所述基板的表面上的第一FET部和第二FET部。所述第一FET部包括彼此间隔开的第一栅电极区域和第一源电极区域。所述第二FET部以堆叠结构连接到所述第一FET部，所述第二FET部包括彼此间隔开的第二栅电极区域和第二漏电极区域。所述第一FET部和所述第二FET部中的每个包括设置在所述基板的所述表面上并且彼此间隔开的第一共电极和第二共电极。所述第一共电极和所述第二共电极中的每个被构造为由所述第一FET部的第一漏电极和所述第二FET部的第二源电极一体形成的单根导体布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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