[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包括基板、设置在所述基板的表面上的第一FET部和第二FET部。所述第一FET部包括彼此间隔开的第一栅电极区域和第一源电极区域。所述第二FET部以堆叠结构连接到所述第一FET部，所述第二FET部包括彼此间隔开的第二栅电极区域和第二漏电极区域。所述第一FET部和所述第二FET部中的每个包括设置在所述基板的所述表面上并且彼此间隔开的第一共电极和第二共电极。所述第一共电极和所述第二共电极中的每个被构造为由所述第一FET部的第一漏电极和所述第二FET部的第二源电极一体形成的单根导体布线。

本申请要求于2018年11月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0148944号韩国专利申请的优先权的权益，出于所有目的，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种具有堆叠的场效应晶体管(FET)的半导体装置。

背景技术

使用亚毫米波的安装在移动电话上的共源共栅型高频功率放大器通常具有高输出和高性能。

共源共栅型结构可用于增大在射频(RF)前端(FE)集成电路(IC)中的功率放大器(PA)的输出，在射频前端集成电路中PA具有28GHz的频带并包括低噪声放大器(LNA)和RF开关。

通常，功率放大器电路可包括以共源共栅方式配置的多个场效应晶体管(FET)。在共源共栅结构中，以共源共栅方式配置的多个FET彼此独立地形成，相应FET的漏电极和源电极中的一些可通过单独的导体图案彼此连接。

具有如上所述的堆叠的FET的典型的功率放大设备通常在高频(例如，28GHz)下具有劣化的性能(增益和效率)。

发明内容

提供本发明内容以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种半导体装置包括基板、第一场效应晶体管(FET)部和第二FET部。设置在所述基板的表面上的所述第一FET部包括设置在所述基板的所述表面上并且彼此间隔开的第一栅电极区域和第一源电极区域。设置在所述基板的所述表面上并且以堆叠结构连接到所述第一FET部的所述第二FET部包括设置在所述基板的所述表面上并且彼此间隔开的第二栅电极区域和第二漏电极区域。所述第一FET部和所述第二FET部中的每个包括设置在所述基板的所述表面上并且彼此间隔开的第一共电极和第二共电极。所述第一共电极和所述第二共电极中的每个被构造为通过所述第一FET部的第一漏电极和所述第二FET部的第二源电极一体形成的单根导体布线。

所述第一共电极与所述第二共电极可成直线地且平行地设置。

所述第一栅电极区域可包括：彼此间隔开的第一栅电极指，设置在形成在所述基板的所述表面上的第一导体层上；以及第一栅电极垫，设置在所述第一导体层上并且连接到所述第一栅电极指。

所述第一源电极区域可包括：彼此间隔开的一对第一源电极垫，设置在所述第一导体层上；以及第一源电极指，设置在所述第一导体层上，设置在所述一对第一源电极垫之间，并且与所述一对第一源电极垫间隔开。

所述第二栅电极区域可包括：彼此间隔开的第二栅电极指，设置在所述第一导体层上；以及第二栅电极总线，设置在所述第一导体层上并且连接到所述第二栅电极指。

所述第二漏电极区域可包括：第二漏电极指，设置在所述第一导体层上并且通过所述第一共电极和所述第二共电极彼此间隔开；以及第二漏电极垫，设置在所述第一导体层上并且与所述第二漏电极指间隔开。

所述第二栅电极总线可设置在所述第一共电极和所述第二共电极之后并且设置在所述第二漏电极垫之前，并且所述第二栅电极总线与所述第一共电极、所述第二共电极和所述第二漏电极垫中的每个间隔开。