[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基板；

第一场效应晶体管部，设置在所述基板的表面上，包括设置在所述基板的所述表面上并且彼此间隔开的第一栅电极区域和第一源电极区域；以及

第二场效应晶体管部，设置在所述基板的所述表面上并且以堆叠结构连接到所述第一场效应晶体管部，所述第二场效应晶体管部包括设置在所述基板的所述表面上并且彼此间隔开的第二栅电极区域和第二漏电极区域，

其中，所述第一场效应晶体管部和所述第二场效应晶体管部中的每个包括设置在所述基板的所述表面上并且彼此间隔开的第一共电极和第二共电极，并且

所述第一共电极和所述第二共电极中的每个被构造为通过所述第一场效应晶体管部的第一漏电极和所述第二场效应晶体管部的第二源电极一体形成的单根导体布线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一共电极与所述第二共电极成直线地且平行地设置。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极区域包括：

彼此间隔开的第一栅电极指，设置在形成在所述基板的所述表面上的第一导体层上；以及

第一栅电极垫，设置在所述第一导体层上并且连接到所述第一栅电极指。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一源电极区域包括：

彼此间隔开的一对第一源电极垫，设置在所述第一导体层上；以及

第一源电极指，设置在所述第一导体层上，设置在所述一对第一源电极垫之间，并且与所述一对第一源电极垫间隔开。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二栅电极区域包括：

彼此间隔开的第二栅电极指，设置在所述第一导体层上；以及

第二栅电极总线，设置在所述第一导体层上并且连接到所述第二栅电极指。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二漏电极区域包括：

第二漏电极指，设置在所述第一导体层上并且通过所述第一共电极和所述第二共电极彼此间隔开；以及

第二漏电极垫，设置在所述第一导体层上并且与所述第二漏电极指间隔开。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第二栅电极总线设置在所述第一共电极和所述第二共电极之后并且设置在所述第二漏电极垫之前，并且所述第二栅电极总线与所述第一共电极、所述第二共电极和所述第二漏电极垫中的每个间隔开。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一源电极区域还包括第一源极连接电极，所述第一源极连接电极设置在第二导体层上并且连接到所述第一源电极指和所述一对第一源电极垫，并且所述第二导体层堆叠在所述第一导体层上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二漏电极区域还包括第二漏极连接电极，所述第二漏极连接电极设置在所述第二导体层上并且连接到所述第二漏电极指和所述第二漏电极垫。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极区域还包括第一栅极连接电极，所述第一栅极连接电极设置在所述第二导体层上并且连接到所述第一栅电极垫。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，所述半导体装置还包括第一导体过孔和第二导体过孔，所述第一导体过孔和所述第二导体过孔将所述一对第一源电极垫连接到所述基板的接地面，

其中，所述接地面设置在所述基板的另一表面上。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极指分别设置在所述一对第一源电极垫、所述第一源电极指、所述第一共电极和所述第二共电极之间。