[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910967949.1 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112086419B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 周良宾 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一下层半导体层、一隔离层、一第一半导体穿孔、一第二半导体穿孔以及一上导电连接部。该隔离层配置在该下层半导体层上。该第一半导体穿孔连续地延伸穿过该隔离层。该第一半导体穿孔具有一第一上端，该第一上端位在该隔离层上。该第二半导体穿孔连续地延伸穿过该隔离层。该第二半导体穿孔具有一第二上端，该第二上端位在该隔离层上。该上导电连接部侧向地连接该第一上端的一第一上侧表面与该第二上端的一第二上侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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