[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一下层半导体层；

一隔离层，配置在该下层半导体层上；

一第一半导体穿孔，连续地延伸穿过该隔离层，其中该第一半导体穿孔具有一第一上端，该第一上端位在该隔离层上；

一第二半导体穿孔，连续地延伸穿过该隔离层，其中该第二半导体穿孔具有一第二上端，该第二上端位在该隔离层上；以及

一上导电连接部，侧向地并直接地连接该第一上端的一第一上侧表面与该第二上端的一第二上侧表面，

其中该第一半导体穿孔的该第一上端与该第二半导体穿孔的该第二上端由该上导电连接部电性连接，

其中该第一半导体穿孔包含铜材料，且该第二半导体穿孔包含铜材料。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体穿孔具有一第一穿孔宽度，该第二半导体穿孔具有一第二穿孔宽度，且该第一穿孔宽度大于该第二穿孔宽度。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该上导电连接部由一自对准沉积工艺所形成。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该上导电连接部含有铜锗合金。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该下层半导体层为一半导体基底。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第一半导体穿孔连续地延伸穿过该下层半导体层，且该第二半导体穿孔连续地延伸穿过该下层半导体层。

7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括多个半导体晶粒配置在该下层半导体层上的一堆叠。

8.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一第一保护层以及一第二保护层，该第一保护层围绕该第一半导体穿孔设置，该第二保护层围绕该第二半导体穿孔设置。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第一保护层含有钽材料与氮化钽材料，且该第二保护层含有钽材料与氮化钽材料。

10.一种半导体结构的制备方法，包括：

提供一下层半导体层；

在该下层半导体层上沉积一隔离层；

形成一第一半导体穿孔，以连续地延伸穿过该隔离层；

形成一第二半导体穿孔，以连续地延伸穿过该隔离层；

蚀刻该隔离层的一部分，以暴露该第一半导体穿孔位在该隔离层上的一第一上端以及该第二半导体穿孔位在该隔离层上的一第二上端；以及

以一自对准沉积工艺形成一上导电连接部，以侧向地并直接地连接该第一上端的一第一上侧表面与该第二上端的一第二上侧表面，

其中该第一半导体穿孔的该第一上端与该第二半导体穿孔的该第二上端由该上导电连接部电性连接。

11.如权利要求10所述的制备方法，其中以一镀覆工艺形成该上导电连接部。

12.如权利要求10所述的制备方法，其中该第一半导体穿孔与该第二半导体穿孔均包含铜材料。

13.如权利要求12所述的制备方法，其中通过将该第一半导体穿孔的该第一上端与该第二半导体穿孔的该第二上端暴露在锗烷气体或二锗乙烷气体，以沉积该上导电连接部。

14.如权利要求12所述的制备方法，其中该上导电连接部由铜锗合金所形成。

15.如权利要求10所述的制备方法，其中形成该第一半导体穿孔以穿过该下层半导体层，形成该第二半导体穿孔以穿过该下层半导体层，且该下层半导体层具有一半导体基底。